用于笔记本电脑的电源管理系统便携式设备和供电系统双重增强型MOSFET CXMS5262超高密度电池设计可靠耐用
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用于笔记本电脑的电源管理系统便携式设备和供电系统双重增强型MOSFET CXMS5262超高密度电池设计可靠耐用
N 沟道 20V/7A
RDS(ON)=12mΩ（typ.）@VGS=4.5V
RDS(ON)=17mΩ（typ.）@VGS=2.5V
P 沟道 -20V/-5.5A
RDS(ON)=33mΩ （typ.）@VGS= -4.5V
RDS(ON)=45mΩ （typ.）@VGS= -2.5V
超高密度电池设计
产品手册
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[ CXMS5262 ]
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N 沟道 20V/7A
RDS(ON)=12mΩ（typ.）@VGS=4.5V
RDS(ON)=17mΩ（typ.）@VGS=2.5V
P 沟道 -20V/-5.5A
RDS(ON)=33mΩ （typ.）@VGS= -4.5V
RDS(ON)=45mΩ （typ.）@VGS= -2.5V
产品特点 返回TOP
超高密度电池设计
可靠耐用
封装形式：SOP-8
工作温度范围：-55~150℃
应用范围 返回TOP
用在笔记本电脑的电源管理系统
用在便携式设备和电池的供电系统
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| MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE | |||
| 型号 | 功能 | 适用范围 | 封装 |
| CXMS5264 | 18V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 |
| CXMS5254 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23-3 |
| CXMS5256 | 电源管理、小功率驱动等 | SOT23-3 | |
| CXMS5266 | 30V P 沟道 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT-23 |
| CXMS5268 | 20V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | TFT屏、数码相机、便携式小音响等 | SOP-8 |
| CXMS5255 | P 沟道增强型 MOS 场效应管 | 笔记本、便携式设备等 | SOT23 |
| CXMS5251 | -30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOT23-6 |
| CXMS5271 | 20V 高密度 P 沟道 MOS 管 | 笔记本、便携式设备等 | SOP-8 |
| CXMS5261 | 30V P 沟道增加型 MOS 场效应管 | 电源管理、小功率驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5262 | 双重增强型 MOSFET(N-P 沟道) | 笔记本电脑的电源管理系统、便携式设备和供电系统 | SOP-8 |
| CXMS5252 | 20V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252C | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
| CXMS5252L | 30V P 沟道增强型 MOS 场效应管 | LED屏驱动等 | SOP-8 |
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