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30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
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CXMS5252
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺
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VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP
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