产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >CXMS5179是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
CXMS5179是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
18

CXMS5179是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
-30V/-5A,RDS(ON)= 36 @VGS=- 10V
-30V/-4A,RDS(ON)= 53 @VGS=- 4.5V
Super high density cell design for extremely low RDS (ON)
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

CXMS5179是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他高侧开关的电池供电电路
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

   产品概述 返回TOPdT3嘉泰姆


The CXMS5179 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application , notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching

   产品特点 返回TOPdT3嘉泰姆


-30V/-5A,RDS(ON)= 36@VGS=- 10V dT3嘉泰姆

-30V/-4A,RDS(ON)= 53 @VGS=- 4.5V dT3嘉泰姆

Super high density cell design for extremely low RDS (ON) dT3嘉泰姆

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability dT3嘉泰姆

SOP – 8P package designdT3嘉泰姆

   应用范围 返回TOPdT3嘉泰姆


Power Management in Note book dT3嘉泰姆

Portable Equipment dT3嘉泰姆

Battery Powered System dT3嘉泰姆

DC/DC Converter dT3嘉泰姆

Load Switch dT3嘉泰姆

DSC dT3嘉泰姆

LCD Display inverterdT3嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP dT3嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!dT3嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgdT3嘉泰姆

产品封装图 返回TOPdT3嘉泰姆


blob.pngdT3嘉泰姆

电路原理图 返回TOPdT3嘉泰姆


blob.pngdT3嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP            更多同类产品.....


场效应晶体管 P沟道MOS管
Product Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)(L×W)
CXMS5151 P 1 -20 ±8 -1 0.11 -1.4 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5152 P 1 -12 ±12 -0.9 0.022 -5.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5153 P 1 -12 ±8 -0.9 0.031 -3.5 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5154 P 1 -12 ±8 -1 0.015 -7.4 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5155 P 1 -12 ±8 -0.9 0.08 -1.5 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5156 P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.9 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5156B P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.7 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5157 P+Diode 1 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5158D P 1 -20 ±12 -1 0.042 -4 DFN3030-8L 3.0 x 3.0
CXMS5159 P 1 -20 ±8 -0.9 0.05 -4.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5160 P 1 -20 ±8 -0.8 0.081 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5161 P 1 -20 ±5 -0.9 0.48 -0.62 SOT-523 1.6 x 1.6
CXMS5162 P 1 -20 ±12 -1 0.056 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5163 P 1 -20 ±5 -0.8 0.495 -0.6 SOT-723 1.2 x 1.2
CXMS5164 P 1 -20 ±12 -1 0.047 -3.3 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5165 P 1 -20 ±12 -1 0.096 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5166 P 1 -20 ±5 -0.9 - -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5166B P 1 -20 ±5 -0.9 0.44 -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5167 P 1 -20 ±8 -1 0.017 -6.2 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5168 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -4 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5169 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -3.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5170 P 1 -20 ±8 -1 0.081 -2.4 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5171 P 1 -20 ±8 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5171A P 1 -20 ±12 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5172 P 1 -30 ±20 -2.5 0.079 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5173 P 1 -30 ±20 -2.5 0.083 -4.1 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5174 P 1 -30 ±20 -2.5 0.08 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5175 P 1 -30 ±20 -2.5 0.077 -3.1 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5176 P 1 -30 ±12 -1.5 0.043 -4.6 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5177 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -3.7 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5178 Dual P 2 -30 ±12 -1.4 0.045 -5.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5179 Dual P 2 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5180 P 1 -50 ±20 -2 3.5 -0.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5181 P 1 -20 ±12 -1 0.025 -5.7 SOT-23-3 2.9 x 2.8
CXMS5182 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5182A P 1 -30 ±20 -3 0.043 -5.4 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5183 Dual P 2 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5184 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.075 -3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5185 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.052 -3.7 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5186 Dual P 2 -20 ±6 -0.9 0.55 -0.56 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5187 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -3.6 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5188 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -4.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5189 Dual P 2 -20 ±10 -1 0.08 -3.3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5190 Dual P 2 -30 ±20 -2.5 0.07 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
  • 最新信息
    推荐信息
    相关文章
  • 12V 21A 5.5mΩ双N沟道功率MOSFET CXMS5249内部保护二
  • N通道增强模式功率MOSFET CXMS5246 CXMS5246K高功率和
  • N沟道增强型功率MOSFET CXMS5245K获得大功率高电流处
  • CXMS5240NE
  • CXMS5238NE CXMS5240NE总线采用先进的沟道技术在低至2
  • CXMS5239E
  • CXMS5237E CXMS5239E采用先进的沟道技术在栅极电压低
  • CXMS5236采用先进的沟槽技术和设计以低栅极电荷提供优
  • CXMS5235B
  • CXMS5235A CXMS5235B采用先进的沟道技术在栅极电压低
  • 推荐资讯
    CXRT2122微波感应解决方案
    CXRT2122微波感应解决
    电池管理系统(BMS)深度解析:工作原理、关键技术与应用电路设计
    电池管理系统(BMS)深
    移动储能电源深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    移动储能电源深度解析
    光伏逆变器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    光伏逆变器深度解析:工
    LC谐振DAB拓扑深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    LC谐振DAB拓扑深度解
    工业级运放深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    工业级运放深度解析:工
    信号分配电路深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    信号分配电路深度解析
    电压比较器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    电压比较器深度解析:工
    有源滤波器设计深度解析:原理、类型、参数计算与典型应用电路
    有源滤波器设计深度解
    单电源运算放大器深度解析:工作原理、典型应用与设计要点
    单电源运算放大器深度
    宽电压运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    宽电压运算放大器深度
    四路运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    四路运算放大器深度解