产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >CXMS5183采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供无线电数据系统(ON)用于DC-DC转换应用低压门极驱动逻辑电平下运行的额定电压为1.8 V RDS共源配置的双向电流
CXMS5183采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供无线电数据系统(ON)用于DC-DC转换应用低压门极驱动逻辑电平下运行的额定电压为1.8 V RDS共源配置的双向电流
10

CXMS5183采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供优秀的无线电数据系统(ON)。该装置适用于DC-DC转换应用
低压门极驱动逻辑电平下运行的额定电压为1.8 V RDS(开)
轻薄(<0.8毫米)便于在薄环境中安装
共源配置的双向电流

CXMS5183采用沟槽技术和设计以低栅极电荷提供无线电数据系统(ON)用于DC-DC转换应用低压门极驱动逻辑电平下运行的额定电压为1.8 V RDS共源配置的双向电流
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

目录

   产品概述 返回TOPCuw嘉泰姆


The CXMS5183 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. Standard Product CXMS5183 is Pb-free

   产品特点 返回TOPCuw嘉泰姆


z Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm PackageCuw嘉泰姆

z 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic     Cuw嘉泰姆

   Level Cuw嘉泰姆

z Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments Cuw嘉泰姆

z Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration Cuw嘉泰姆

z DFN6 Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal   Cuw嘉泰姆

   ConductionCuw嘉泰姆

   应用范围 返回TOPCuw嘉泰姆


z Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable   Equipment Cuw嘉泰姆

z LiíIon Battery Charging and Protection Circuits Cuw嘉泰姆

z High Power Management in Portable, Battery Powered Products Cuw嘉泰姆

z High Side Load SwitchCuw嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP Cuw嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!Cuw嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgCuw嘉泰姆

产品封装图 返回TOPCuw嘉泰姆


blob.pngCuw嘉泰姆

电路原理图 返回TOPCuw嘉泰姆


blob.pngCuw嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP               更多同类产品.....


场效应晶体管 P沟道MOS管
Product Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)(L×W)
CXMS5151 P 1 -20 ±8 -1 0.11 -1.4 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5152 P 1 -12 ±12 -0.9 0.022 -5.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5153 P 1 -12 ±8 -0.9 0.031 -3.5 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5154 P 1 -12 ±8 -1 0.015 -7.4 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5155 P 1 -12 ±8 -0.9 0.08 -1.5 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5156 P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.9 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5156B P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.7 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5157 P+Diode 1 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5158D P 1 -20 ±12 -1 0.042 -4 DFN3030-8L 3.0 x 3.0
CXMS5159 P 1 -20 ±8 -0.9 0.05 -4.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5160 P 1 -20 ±8 -0.8 0.081 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5161 P 1 -20 ±5 -0.9 0.48 -0.62 SOT-523 1.6 x 1.6
CXMS5162 P 1 -20 ±12 -1 0.056 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5163 P 1 -20 ±5 -0.8 0.495 -0.6 SOT-723 1.2 x 1.2
CXMS5164 P 1 -20 ±12 -1 0.047 -3.3 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5165 P 1 -20 ±12 -1 0.096 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5166 P 1 -20 ±5 -0.9 - -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5166B P 1 -20 ±5 -0.9 0.44 -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5167 P 1 -20 ±8 -1 0.017 -6.2 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5168 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -4 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5169 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -3.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5170 P 1 -20 ±8 -1 0.081 -2.4 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5171 P 1 -20 ±8 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5171A P 1 -20 ±12 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5172 P 1 -30 ±20 -2.5 0.079 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5173 P 1 -30 ±20 -2.5 0.083 -4.1 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5174 P 1 -30 ±20 -2.5 0.08 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5175 P 1 -30 ±20 -2.5 0.077 -3.1 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5176 P 1 -30 ±12 -1.5 0.043 -4.6 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5177 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -3.7 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5178 Dual P 2 -30 ±12 -1.4 0.045 -5.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5179 Dual P 2 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5180 P 1 -50 ±20 -2 3.5 -0.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5181 P 1 -20 ±12 -1 0.025 -5.7 SOT-23-3 2.9 x 2.8
CXMS5182 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5182A P 1 -30 ±20 -3 0.043 -5.4 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5183 Dual P 2 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5184 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.075 -3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5185 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.052 -3.7 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5186 Dual P 2 -20 ±6 -0.9 0.55 -0.56 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5187 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -3.6 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5188 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -4.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5189 Dual P 2 -20 ±10 -1 0.08 -3.3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5190 Dual P 2 -30 ±20 -2.5 0.07 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
  • 最新信息
    推荐信息
    相关文章
  • CXMS5179是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高
  • CXMS5178是双P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高
  • CXMS5157采用MOSFET和肖特基二极管 每个设备都有独立
  • CXMS5156B
  • CXMS5156采用MOSFET和肖特基二极管每个设备都有独立的
  • CXMS5150双N沟道增强型MOS场效应晶体管采用先进的沟道
  • CXMS5149是N沟道增强MOS场效应晶体管采用沟道技术和设
  • CXMS5147采用沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS(O
  • CXMS5146采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优
  • CXMS5145 N沟道增强型MOS场效应晶体管采用先进的沟道
  • 推荐资讯
    CXRT2122微波感应解决方案
    CXRT2122微波感应解决
    电池管理系统(BMS)深度解析:工作原理、关键技术与应用电路设计
    电池管理系统(BMS)深
    移动储能电源深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    移动储能电源深度解析
    光伏逆变器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    光伏逆变器深度解析:工
    LC谐振DAB拓扑深度解析:工作原理、技术特点与典型应用电路
    LC谐振DAB拓扑深度解
    工业级运放深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    工业级运放深度解析:工
    信号分配电路深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    信号分配电路深度解析
    电压比较器深度解析:工作原理、类型特点与典型应用电路
    电压比较器深度解析:工
    有源滤波器设计深度解析:原理、类型、参数计算与典型应用电路
    有源滤波器设计深度解
    单电源运算放大器深度解析:工作原理、典型应用与设计要点
    单电源运算放大器深度
    宽电压运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    宽电压运算放大器深度
    四路运算放大器深度解析:技术特点、典型应用与设计选型
    四路运算放大器深度解