首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >N- and P-Channel Complementary 20V MOSFET CXMS5106 the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or Load switch applications,
N- and P-Channel Complementary 20V MOSFET CXMS5106 the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or Load switch applications,
15
N- and P-Channel Complementary, 20V, MOSFET CXMS5106 the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or Load switch applications,
产品手册
-
[ CXMS5106 ]
样品申请
产品简介
目录
产品概述 返回TOP
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
| 场效应晶体管 > | |||||||||
|
Product |
Polarity | Channel | VDS | VGS | VGS(th) | RDS(ON)@VGS=4.5V | ID@TA=25oC | Package | Size |
| (Max.) | (Max.) | (Max.) | (Typ.) | (MAX.) | (L×W) | ||||
| (V) | (V) | (V) | (Ω) | (A) | (mm) | ||||
| CXMS5105 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6/±8 | 0.85/-1.0 | 0.18/0.085 | 0.65/-3.1 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
| CXMS5106 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.23/0.52 | 0.8/-0.59 | SOT-363 | 2.1 x 2.3 |
| CXMS5107 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.18/0.45 | 0.79/-0.5 | SOT-563 | 1.6 x 1.6 |
| CXMS5108 | N + P | 2 | 20/-20 | ±8 | 1/-1 | 0.033/0.085 | 4.4/-2.8 | SOT-23-6L | 2.9 x 2.8 |
| CXMS5109 | N + P | 2 | 12/-12 | ±8 | 1.2/-1.2 | 0.028/-0.057 | 5.1/-4.0 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
◀ 上一篇:CXMS5105用于DC-DC变换器或负载开关应用的N和P通道增强型场效应晶体管采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的出色的RD（ON）超高密度极低Rds电池设计卓越的导通电阻和最大直流电流能力
下一篇▶:CXMS5107是N和P通道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平移位应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计以提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）
发表评论
| 热门信息 |
|---|
| 最新信息 |
|---|
| 推荐信息 |
|---|
