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CXPC2302C是一种双向继电器驱动电路，用于控制磁闭锁继电器，具有输出容量大、功耗极低的特点。它可广泛应用于智能仪表等脉冲、电平控制应用。CXPC2302C可提供300毫安的典型驱动电流，根据继电器线圈电阻的不同而不同。CXPC2302Cis 3V的输入高电平阈值；它可以与大多数单片机兼容。CXPC2302Cis提供于SOP-8包装
5至36V输入电压范围 Ø低功耗（IQ<1uA） Ø输入高电平阈值：3V，与大多数单单片机 Ø典型驱动电流：300毫安 Rds（开）=15欧姆（Vin=12伏，PMOSFET+NMOSFET） Rds（开）=10欧姆（车辆识别号=20伏，PMOSFET+NMOSFET） Ø峰值驱动电流：500毫安@车辆识别号=24伏 Ø环境温度：-40℃~85℃ |
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CXPC2302F
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CXPS4259是一款只有 100mΩ 导通内阻，应用于 USB 供 电的电源开关电路。内置电荷泵升压来驱动 NMOS 功率管， 当处于关断状态时通过寄生的反向体二极管来消除开关的反 向导通电流。低的静态功耗（23μA）和小封装（SOT-23-5） 特别适合电池供电的便携式设备使用。 保护电路包括防止上电过程中的涌入电流的软启电路， 1.1A 过流保护电路是 USB 电源必须的，内置热关断保护电 路以及短路保护电路
输入电压：2.2V 到 6V 导通内阻：100mΩ（典型值） 1.1A 过流保护电路 静态电流：23μA 软启电路 过热保护和短路保护 微型封装 |
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CXNP5402
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CXNP5402A
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CXNP5403
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CXPP5445
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CXMS5105是用于DC-DC变换器或负载开关应用的N和P通道增强型场效应晶体管，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的出色的RD（ON）。标准产品CXMS5105不含铅。
超高密度极低Rds电池设计（开）卓越的导通电阻和最大直流电流能力 |
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CXMS5109是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管，作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。标准产品CXMS5109不含铅和卤素。
沟槽技术 超高密度电池设计 优良的电阻 •极低阈值电压 |
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CXMS5115-CXMS5115B是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 •极低阈值电压 |
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