| 产品名称 | 上传日期 | 文件大小 | 人气 | 文件等级 |
|---|---|---|---|---|
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 1 | ![]() |
|
|
功率MOSFET和肖特基二极管CXMS5157,有MOSFET和肖特基二极管每个器件都有独立的引脚,便于电路设计超低VF肖特基
|
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 1 | ![]() |
|
|
CXMS5222 CXMS5222-N串联N沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,特别用于减小导通电阻。这种器件特别适合低压应用,并且在一个非常小的外形表面安装包中具有低功耗。超低导通电阻高密度电池设计
|
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 0 | ![]() |
|
|
N通道增强模式功率MOSFET CXMS5246 CXMS5246K高功率和电流处理能力
● VDS = 60V,ID = 0.3A RDS(ON) < 3Ω @ VGS=5V RDS(ON) < 2Ω @ VGS=10V ESD Rating:HBM 2300V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 0 | ![]() |
|
|
CXMS5101是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
CXMS5101高端的工作电压可达 100V,Vcc 的电源电压范围宽 11V~30V,静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个 10K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构高端悬浮自举电源设计,耐压可达 100V 内建死区控制电路 电源电压欠压关断输出 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通 采用半桥达林顿管输出结构具有大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机 N 沟道 MOS 管、IGBT 管栅极驱动 HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出 LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出 |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 1 | ![]() |
|
|
CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。
完全工作至+600 V 3.3V逻辑兼容 dV/dt抗扰度±50v/nsec 为引导操作设计的浮动通道 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 低压侧通道输出源/汇电流能力为300毫安/600毫安的紫外低辐射 独立的逻辑输入以适应所有拓扑 -5V负极Vs能力 |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 1 | ![]() |
|
|
CXMS5104是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。
CXMS5104电源电压范围宽 3V~30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可以用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 2 | ![]() |
|
|
The CXSD61035 is high efficiency, fixed frequency, Buck-Boost DC/DC converter that operates from input voltages above, below or equal to the output voltage. The devices are suitable for single lithium-ion, multicell alkaline or NiMH applications where the output voltage is within the battery voltage range.
The switching frequencies up to 1.5 MHz could be fixed by an external resistor. Also the oscillator could be synchronized to an external clock. The quiescent current is 1mA which maximizes the battery life in portable applications. Other features include a 1µA shutdown, thermal shutdown and current limit. The CXSD61035 is available in the 10-pin thermally enhanced MSOP package (or upon request). |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 0 | ![]() |
|
|
CXSD6211 guarantees robustness with short-circuit protection, thermal protection,
start-up current run-away protection, and input under voltage lockout |
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 0 | ![]() |
|
|
CXSD6217是一款采用恒定频率、电流模式架构、双路输出的高效率同步DC/DC降压稳压器。该芯片具备可调输出电压型和固定输出电压型(1.2V、1.8V、3.3V)版本。内置PWM/PFM自动切换功能,在全负载范围内具有低纹波、高效率特性。内部开关频率高达1.2MHz,可采用小表面贴片型元件。100%占空比实现了低压2V操作,并延长了前级电池寿命。
|
||||
| 2025-05-28 18:36:46 | 498 KB | 0 | ![]() |
|
|
CXPR7131系列产品是用于3节或者4节串联可充电锂电池保护的IC, 能够提供高精度过充电保护电压, 过放电电压保护 以及放电过电流保护。CXPR7131的过充电保护延时, 过放电保护延时和放电过电流1的延时可以通过外接电容调整。 CXPR7131具备宽温度工作范围和宽电压工作范围, 其特有的低电压模式兼容铁锂电池应用
|
||||