单P沟道低压MOS场效应管JTM3407/JTM3407B替代AO3407/AO3415/IRLML6401/IRLML

单P沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM2301/A	P沟道	-20V	-10V	-0.7V	-3A	-10A	65mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
								SOT23-3L		IRLML6401/IRML6402/AO3423
JTM2301B	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-2.8A	-10A	83mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/XP152A/
										IRLML6402/AO3423
JTM2301C	P沟道	-12V	-12V	-0.7V	-2.8A	-10A	85mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/XP152A/
										IRLML6402/AO3423
JTM2305	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-4.1A	-15A	39mΩ	SOT23	量产	Si2305/AP2305/APM2305/
										IRLML6401/IRML6402/AO3423
JTM2333	P沟道	-12V	-12V	0.32V	6A	20A	30mΩ	SOT23-3L	量产	Si2333/IRLML6302
JTM2341/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	WPM2341/Si2341/AO3401
								SOT23		AO3415/IRLML6401/SI2307
JTM3401/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	AO3401/AO3415/IRLML6401
								SOT23		/IRLML6402/SI2307
JTM3401C	P沟道	-30V	-20V	-1.6V	-2.5A	-10A	72mΩ	SOT23	量产	AO3401/AO3407/AO3415/
										IRLML6401/IRLML6402/SI2307
JTM3407/B	P沟道	-30V	-20V	-1.5V	-4.2A	-20A	55mΩ	SOT23-3L	量产	AO3407/AO3415/IRLML6401
								SOT23		IRLML6402/SI2307
JTM3413/B	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-2.5A	-10A	118mΩ	SOT23-3L	量产	AO3413
								SOT23
JTM3415E	P沟道	-20V	-10V	-0.65V	-4.0A	-30A	34mΩ	SOT23-3L	量产	AO3415
	带ESD保护
JTM3421/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	AO3421/AO3401/AO3415
								SOT23		WPM2341/IRLML6401/SI2307
JTM2319	P沟道	-40V	-20V	-1.5V	-5.3A	-20A	73mΩ	SOT-23-3L	量产	Si2319
JTM2309	P沟道	-60V	-20V	-1.0V	-1.8A	-7A	170mΩ	SOT-23-3L	量产	Si2309
JTM6401	P沟道	-30V	-20V	-1V	-5.0A	-30A	50mΩ	SOT23-6L	量产	AO6401/Si3481/APM2605/AO6405
										Si3455/SI3457/FDC634P/FDC636P
JTM9435	P沟道	-30V	-20V	-1.6V	-5.1A	-20A	48mΩ	SOP8	量产	CEM9435/APM9435/AP9435/
										Si9435/FDS9435/AO4405
JTM9435B	P沟道	-20V	-10V	-0.7V	-5A	-20A	60mΩ	SOP8	量产	CEM9435/APM9435/AP9435/
										Si9435/FDS9435/AO4405
JTM4435	P沟道	-30V	-20V	-1.5V	-9.1A	-50A	15mΩ	SOP8	量产	AO4435/CEM4435/APM4435/
										AP4435/Si4435/FDS4435
JTM4407	P沟道	-30V	-20V	-1.65V	-12A	-60A	14mΩ	SOP8	量产	AO4407/CEM4407/APM4407/
										AP4407/Si4407/FDS4407
JTM4409	P沟道	-30V	-20V	-1.75V	-15A	-80A	8mΩ	SOP8	量产	AO4409/AO4407/AO4435/CEM4435
										APM4435/AP4435/Si4435/FDS4435
JTM4443	P沟道	-40V	-20V	-1.5V	-6A	-24A	73mΩ	SOP8	量产	AO4443
										IRF7241
JTM4485	P沟道	-40V	-20V	-2.0V	-15A	-60A	30mΩ	SOP8	量产	AO4485
										IRF7240
JTM4441	P沟道	-55V	-20V	-2.6V	-5A	-25A	64mΩ	SOP8	量产	AO4441/AO4421/
										AO4443
JTM5853	P沟道+肖特基	22V	8V	0.69V	3A	12A	110mΩ	DFN2*3-8	量产	Si5853/AON4703/NHPD4P02
JTM16P12D	P沟道	12V	12V	0.7V	16A	65A	18mΩ	DNF2*2-6	量产	AON2701/AON2401/3/5/IRLHS2242

备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的JTM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源 /充电器/多节保护板/ 家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。
我司的JTM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源 /充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。
我司的JTM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS的优点：是足5.8A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。
我司的JTM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS的优点：是足4.2A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。
我司的JTM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS的优点：1.耐压可达60V,足3A电流，大SOT-23封装的。2.可以用于LED照明等耐压高的产品应用。
我司的JTM4953的优点：电流大内阻小，可以用于全彩屏市场。
我司的JTM4430的优点：电流大内阻小，电流可达18A.目前市场上SOP8/NMOS电流最大的一款产品之一。
我司的JTM4440的优点：耐压可达60V, 目前市场上SOP8/NMOS耐压最大的一款产品之一。
JTM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/双NMOS的优点:足7A的电流，带ESD静电保护，相比市场上的8205,电流更大内阻更小，可直接替换AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E,主要可用于高端的锂电保护板/手机电池/多节保护板/移动电源 /充电器/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。
产品应用：
1.MP3/MP4/MP5/PMP 播放器
2.MID/UMPC
3.GPS/蓝牙耳机
4.PDVD/车载DVD/汽车音响
5.液晶电视/液晶显示器
6.移动电源/电子烟
7.手机电池、锂电池保护板
8.LED照明/LED电源
9.LED显示屏
10.智能充电器
11.小家电、家电控制板
12.电脑主板、显卡