单P沟道低压MOS场效应管JTM5853替代Si5853/AON4703/NHPD4P02
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商品介绍
  
目录
1.产品概述                       2.产品特点
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图                     6.电路原理图                   
7.功能概述                        8
.相关产品

,产品概述(General Description)         
       The JTM5853 uses advanced trench technology to provide excellent RDSON and low gate charge. Featuring a MOSFET and Schottky Diode, Independent Pin out to each Device toEase Circuit Design.

.产品特点(Features)
Leadless SMD Package Featuring a
MOSFET and Schottky Diode
40% Smaller than TSOP−6 Package
Leadless SMD Package Provides Great
Thermal Characteristics
Independent Pinout to each Device to Ease
Circuit Design
Trench P−Channel for Low On Resistance
Ultra Low VF Schottky
Pb−Free Packages are Available


,应用范围 (Applications)
Li--Ion Battery Charging
High Side DC-DC Conversion Circuits
High Side Drive for Small Brushless DC Motors
Power Management in Portable, Battery
Powered Products

四.
下载产品资料PDF文档

JTM5953

,产品封装图 (Package)

.电路原理图


,功能概述
Parameter symbol value units
Drain-Source voltage V(BR)DSS -22 V
Gate-Source Voltage VGS 8 V
Continuous Drain Current ID -3.0 A
Drain Current-Pulsed IDM -12 A
Power Dissipation PD 1.1 W
Junction Temperature TJ 150
Storage Temperature Tstg -55~150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RθJA 110 ℃/W

八,相关产品
单P沟道低压MOS场效应管
型号 沟道 VDS VGS VTH ID IDM RDS(on) 封装 状态 直接替代型号
(Max) (Max) (Max)
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SOT23 /IRLML6402/SI2307
JTM3401C P沟道 -30V -20V -1.6V -2.5A -10A 72mΩ SOT23 量产 AO3401/AO3407/AO3415/
IRLML6401/IRLML6402/SI2307
JTM3407/B P沟道 -30V -20V -1.5V -4.2A -20A 55mΩ SOT23-3L 量产 AO3407/AO3415/IRLML6401
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SOT23
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带ESD保护
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