使用或销售这些产品在此类应用中使用的客户这样做在自己的风险，并同意完全赔偿VISHAY的这些不当使用或销售造成的损失。

6N135和6N136是光电耦合器与红外发光二极管的GaAIAs，光学耦合与集成光检测器，它包括一个光电二极管和一个DIP-8的塑料封装的高速晶体管。

信号可以在两个电分离电路到2.0兆赫的频率之间进行传输。要被连接的电路之间的电势差不超过允许的最大参考电压。

设备的功能操作是不是在超过那些在本文件中的业务部门给予的这些或任何其他条件。暴露在的长时间绝对最大额定值可靠性产生不利影响。

注AMB = 25°C，除非另有规定。最低和最高值的检测要求。典型值是设备的特点及工程评价的结果。典型值仅供参考，并不测试要求的一部分。

它特别关注的控制或消除这些物质的排放被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）的气氛。

蒙特利尔议定书（1987）及其伦敦修正案（1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并在未来十年内禁止其使用??。各种国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。

参数可以改变不同的应用。所有操作参数都必须为每个客户应用的客户进行验证。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体一切索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接与相关联的个人损害，伤害或死亡索赔意外或未经授权的使用。

使用或销售这些产品在此类应用中使用的客户这样做在自己的风险，并同意完全赔偿Vishay的这些不当使用或销售造成的损失。

HCPL-4502/HCPL-2503，6N135 / 6和HCPL-2530/HCPL-2531光耦合器组成的AlGaAs LED的光耦合到一个高速光检测器晶体管。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘，允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的，并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

为光电二极管的偏置一个单独的连接通过在常规的光电晶体管的光电耦合器的大小通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容几个数量提高了速度。

内部噪声屏蔽提供了卓越的共模抑制10kV/μs的。一种改进的封装允许优越的绝缘，允许一个480 V的工作电压则为220 V行业标准

以下是注册和未注册商标飞兆半导体拥有或授权使用的，并且不打算成为所有这些商标的详尽清单。

6N135，6N136，EL4502和EL4503每个器件包括一个红外发光二极管，光耦合到一个高速光检测器晶体管。为光电二极管偏压和输出晶体管的集电极一个单独的连接增加的速度超过常规光敏晶体管耦合几个数量级通过降低输入晶体管的基极 - 集电极电容。