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低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单 JTML2306 N 沟道增强型场效应管

时间:2016-02-28 13:31来源:未知 作者:oumao18 点击: 次
目录 1. 产品概述 2. 产品特点 3. 应用范围 4. 技术规格书下载（产品PDF文档 ） 5. 产品封装图 6. 电路原理图 7. 功能概述 8 . 相关产品 一 , 产品概述( General Description) V DSS I D R DS(ON) (m)TYP 20V 3.6A 6
目录

一,产品概述(General Description)      

   
VDSS ID  RDS(ON)(mΩ)TYP
20V 3.6A   65 @ VGS=4.5V
90 @ VGS=2.5V

二.产品特点(Features)


低导通电阻 
高可靠性 
驱动要求简单 
三,应用范围 (Applications)



四.技术规格书下载（产品PDF）


JTML2306
五,产品封装图 (Package)



六.电路原理图



七,功能概述



参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位
关态特性
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID= 250µA 20     V
零栅压漏电流 IDSS VDS=16V, VGS=0V     1 µA
栅－衬漏电流 IGSS VDS=0V, VGS=±8V     ±100 nA
开态特性
栅极阈值电压 VGS(th) VDS= VGS, ID= 250µA 0.5 0.8 1.5 V
漏源通态电阻 RDS(ON) VGS= 4.5V, ID= 2.8A   65 80 mΩ
VGS= 2.5V, ID= 2.0A   90 110
正向跨导
gfs VGS= 5V, ID= 5A   5   S
动态参数
输入电容 CISS VDS=10V ,VGS=0V
f=1.0MHz		   586   pF
输出电容 COSS   101  
反向传输电容
CRSS   59  
开关特性
开通延迟时间 tD(ON) VDD=10V
ID=3.6A
VGEN=4.5V
RL= 10ohm
RGEN=10ohm		   6.5   ns
上升时间 tr   32.1  
关断延迟时间
tD(OFF)   58.4  
下降时间
tf   48  
栅极总电荷
Qg VDS=10V,ID=1A
VGS=4.5V		   6   nC
栅源电荷 Qgs   1.35  
栅漏电荷
Qgd   1.5  
漏源二极管特征参数
漏源二极管正向电压 VSD VGS=0V,Is=1.25A   0.84 1.2 V
八,相关芯片选择指南

产品名称 Vdss(V) Vgss(V) Id(A) Idm(A) Is(A) 封装形式
JTML2311 -30 ±20 -4.4 -30 -1 SOT-23-3
JTML2307B -20 ±12 -1.1 -2.4 -0.26 SOT-523
JTML2307 -20 ±12 -0.8 -2.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2305 -20 ±12 -0.8 -1.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2301 -20 ±12 -3.6 -11 -1.25 SOT-23-3
JTML2308B 20 ±12 0.65 2.5 0.3 SOT-523
JTML2308 20 ±12 0.65 1 0.3 SOT-23-3
JTML2306 20 ±12 1.3 2 0.6 SOT-23-3
JTML2302 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3
JTML2300 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3

(责任编辑：oumao18)
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