The JTM4410B uses advanced trench technology and design to p

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品

一,产品概述(General Description)

The JTM4410B uses advanced trench technology and design to provide
excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

二.产品特点(Features)

● VDS =30V,ID =12A
RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized Avalanche voltage and current

三,应用范围 (Applications)

● Power switching application
● Hard Switched and High Frequency Circuits
● Uninterruptible Power Supply

四.技术规格书下载（产品PDF）

JTM4410B

五,产品封装图 (Package)

六.电路原理图

七,功能概述

Parameter	Symbol	Condition	Min	Typ	Max	Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage	BVDSS	VGS=0V ID=250μA	30	33	-	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=30V,VGS=0V	-	-	1	μA
Gate-Body Leakage Current	IGSS	VGS=±20V,VDS=0V	-	-	±100	nA
On Characteristics (Note 3)
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250μA	1	1.8	3	V
Drain-Source On-State Resistance	RDS(ON)	VGS=10V, ID=12A	-	9	11	mΩ
Drain-Source On-State Resistance	RDS(ON)	VGS=4.5V, ID=5A	-	11	13	mΩ
Forward Transconductance
gFS	VDS=5V,ID=12A	15	-	-	S
Dynamic Characteristics (Note4)
Input Capacitance	Clss	VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz	-	1550	-	PF
Output Capacitance	Coss		-	300	-	PF
Reverse Transfer Capacitance	Crss		-	180	-	PF
Switching Characteristics (Note 4)
Turn-on Delay Time	td(on)	VDD=25V,ID=1A VGS=10V,RGEN=6Ω	-	30	-	nS
Turn-on Rise Time	tr		-	20	-	nS
Turn-Off Delay Time	td(off)		-	100	-	nS
Turn-Off Fall Time	tf		-	80	-	nS
Total Gate Charge	Qg	VDS=15V,ID=12A, VGS=5V	-	13	-	nC
Gate-Source Charge	Qgs		-	5.5	-	nC
Gate-Drain Charge	Qgd		-	3.5	-	nC
Drain-Source Diode Characteristics
Diode Forward Voltage (Note 3)	VSD	VGS=0V,IS=12A	-	-	1.2	V
Diode Forward Current (Note 2)	IS		-	-	12	A

八,相关芯片选择指南

N沟道中压大电流MOS

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM20N03K	N沟道	30V	20V	3.0V	20A	60A	16mΩ	TO-252	量产

JTM35N03D	N沟道	30V	20V	1.5V	35A	120A	5.5mΩ	DFN5*6-8	量产






JTM50N03/K/I	N沟道	30V	20V	3.0V	50A	140A	8mΩ	TO-220	量产
								TO-252
								TO-251
JTM80N03/K/I	N沟道	30V	20V	3.0V	80A	170A	5.5mΩ	TO-220	量产
								TO-252
								TO-251
JTM120N03/K	N沟道	30V	20V	3.0V	120A	400A	3.0mΩ	TO-220	量产
								TO-252

JTM150N03K	N沟道	30V	20V	1.7V	150A	600A	4.0mΩ	TO-252	量产



JTM60N04/K	N沟道	40V	20V	2.5V	60A	200A	7.3mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM80N04/K	N沟道	40V	20V	2.5V	80A	350A	5.3mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM120N04K	N沟道	40V	20V	1.8V	120A	330A	3.6mΩ	TO-252	量产



JTM1404	N沟道	40V	20V	3.0V	200A	790A	3.3mΩ	TO-220	量产

JTM1404B	N沟道	40V	20V	3.0V	130A	300A	3..2mΩ	TO-220	量产

JTM3205	N沟道	55V	20V	3.0V	120A	420A	4.1mΩ	TO-220	量产

JTM20N06/K	N沟道	60V	20V	3.0V	20A	60A	37mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM50N06/K	N沟道	60V	20V	3.0V	50A	220A	17mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM75N06/K	N沟道	60V	20V	4.0V	75A	310A	6.8mΩ	TO-220	量产
								TO-252

JTM3305/D	N沟道	60V	20V	4.0V	150A	600A	4.5mΩ	TO-220	量产
								TO-263



JTM3306	N沟道	60V	25V	4.0V	180A	720A	3.5mΩ	TO-220	量产

JTM70N80	N沟道	68V	25V	4.0V	80A	300A	9.0mΩ	TO-220	量产

JTM70N75	N沟道	70V	25V	4.0V	75A	300A	6.9mΩ	TO-220	量产

JTM70N78	N沟道	70V	25V	4.0V	78A	310A	5.8mΩ	TO-220	量产

JTM70N80A	N沟道	70V	25V	4.0V	80A	320A	5.5mΩ	TO-220	量产

JTM70N88	N沟道	70V	25V	4.0V	88A	320A	4.8mΩ	TO-220	量产

JTM71N90	N沟道	71V	20V	4.0V	90A	320A	5.9mΩ	TO-220	量产

JTM75N80/D	N沟道	75V	25V	4.0V	80A	320A	6.5mΩ	TO-220	量产
								TO-263
JTM1607	N沟道	75V	25V	4.0V	150A	600A	5.0mΩ	TO-220	量产

JTM3207B	N沟道	70V	25V	4.0V	180A	720A	2.7mΩ	TO-220	量产

JTM3207/D	N沟道	75V	20V	4.0V	210A	840A	2.9mΩ	TO-220	量产
								TO-263


JTM80N70	N沟道	80V	25V	4.0V	66A	240A	10mΩ	TO-220	量产

JTM3307/D	N沟道	80V	25V	4.0V	110A	400A	7mΩ	TO-220	量产
								TO-263





JTM3808	N沟道	80V	25V	4.0V	150A	600A	3.6mΩ	TO-220	量产
JTM2907	N沟道	80V	25V	4.0V	180A	750A	3mΩ	TO-220	量产
JTM85N80	N沟道	85V	20V	4.0V	80A	320A	6.8mΩ	TO-220	量产

JTM85N90	N沟道	85V	20V	4.0V	90A	320A	7.5mΩ	TO-220	量产

JTM3077	N沟道	85V	20V	3.2V	3.2V	210A	3.6mΩ	TO-220	量产
JTM530	N沟道	100V	20V	4V	17A	60A	70mΩ	TO-220	量产
JTM3710	N沟道	100V	20V	4.0V	57A	190A	12mΩ	TO-220	量产

JTM73N10	N沟道	100V	25V	4.0V	73A	290A	10mΩ	TO-220	量产

JTM2807	N沟道	100V	20V	4.0V	100A	380A	9.9mΩ	TO-220	量产
JTM4030	N沟道	100V	25V	4.0V	118A	472A	6.8mΩ	TO-220	量产

JTM4310	N沟道	100V	25V	4.0V	140A	560A	6.2mΩ	TO-220	量产
JTM4110	N沟道	100V	25V	4.0V	170A	680A	4.5mΩ	TO-220	量产

JTM6N10/R	N沟道	100V	20V	2.5V	6.0A	24A	110mΩ	T0-92	量产
								SOT-223
JTM10N10K/I	N沟道	100V	20V	4.0V	9.6A	58A	105mΩ	TO-252	量产
								TO-251
JTM17N10K	N沟道	100V	20V	2.5V	17A	65A	56mΩ	TO-252	量产

JTM25N10K	N沟道	100V	20V	4.0V	25A	75A	33mΩ	TO-252	量产

JTM40N10/K	N沟道	100V	20V	4.0V	40A	160A	14mΩ	TO-220	量产
								TO-252

JTM40N15K	N沟道	150V	20V	4.5V	40A	164A	35mΩ	TO-252	量产

JTM50N15	N沟道	150V	20V	4.5V	50A	210A	19.5mΩ	TO-220	量产

JTM2N20/R	N沟道	200V	20V	4.5V	2.0A	8A	520mΩ	TO-92	量产
								SOT-223
JTM8N20/K	N沟道	200V	20V	4.0V	8A	20A	260mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM24N20/K	N沟道	200V	20V	4.0V	24A	100A	63mΩ	TO-220	量产
								TO-252
JTM40N20	N沟道	200V	20V	4.0V	40A	160A	36.5mΩ	TO-220	量产


备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的JTM75N80/JTM71N90/JTM85N80/JTM85N90/JTM70N80/JTM80N70/JTM2807/JTM3710/JTM3205/JTM3207/JTM1404/JTM50N06/
JTM50N03/JTM80N03/JTM10N10/JTM17N10/JTM25N10等中压大电流MOS的优点：

(责任编辑：oumao18)