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JTML2311 P 沟道增强型场效应管,低导通电阻 高可靠性 驱动要求简单

时间:2016-02-28 11:50来源:未知 作者:oumao18 点击: 次
目录 1. 产品概述 2. 产品特点 3. 应用范围 4. 技术规格书下载（产品PDF文档 ） 5. 产品封装图 6. 电路原理图 7. 功能概述 8 . 相关产品 一 , 产品概述( General Description) V DSS I D R DS(ON) (m)TYP -30V -4.4A
目录

一,产品概述(General Description)      

   
VDSS ID RDS(ON)(mΩ)TYP
-30V -4.4A  52 @ VGS=-10V
65 @ VGS=-4.5V


二.产品特点(Features)


低导通电阻 
高可靠性 
驱动要求简单 
三,应用范围 (Applications)



四.技术规格书下载（产品PDF）

JTML2311

五,产品封装图 (Package)



六.电路原理图



七,功能概述


参数 符号 极限值 单位
最大漏源电压 VDS -30 V
最大栅源电压 VGS ±20 V
结温 125℃下，最大漏极电流 ID -4.4 A
最大漏极脉冲电流 IDM -30 A
最大消散功耗 PD 1.25 W
工作温度范围 Tj -55—150 ℃
八,相关芯片选择指南

产品名称 Vdss(V) Vgss(V) Id(A) Idm(A) Is(A) 封装形式
JTM2311 -30 ±20 -4.4 -30 -1 SOT-23-3
JTM2307B -20 ±12 -1.1 -2.4 -0.26 SOT-523
JTM2307 -20 ±12 -0.8 -2.8 -0.58 SOT-23-3
JTM2305 -20 ±12 -0.8 -1.8 -0.58 SOT-23-3
JTM2301 -20 ±12 -3.6 -11 -1.25 SOT-23-3
JTM2308B 20 ±12 0.65 2.5 0.3 SOT-523
JTM2308 20 ±12 0.65 1 0.3 SOT-23-3
JTM2306 20 ±12 1.3 2 0.6 SOT-23-3
JTM2302 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3
JTM2300 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3
 

(责任编辑：oumao18)
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