CXLE86306GL 支持可控硅调光单段线性LED恒流驱动芯片
产品型号:CXLE86306GL | 封装:ESOP-8D | 拓扑:线性恒流 | 更新时间:2026年4月
1. 产品概述
CXLE86306GL 是嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的一款高度集成的、支持可控硅调光的高精度单段线性LED恒流驱动芯片,专为市电输入的高功率因数LED灯具设计。基于线性恒流技术,CXLE86306GL可省去电解电容和磁性元件,帮助LED驱动器实现小体积、长寿命,并轻松通过EMI标准。芯片内置350V高压MOS管,外围电路极简,非常适合GU10/E27球泡灯、筒灯、吸顶灯等紧凑型LED照明应用。
CXLE86306GL通过外部电阻精确设定LED电流,并优化不同输入电压下的输入电流曲线,有效降低芯片损耗,提升系统效率。芯片内置可控硅调光检测及泄放电流控制,可实现良好的调光器兼容性,调光过程平滑无闪烁。同时具备过温调节功能,当芯片温度过高时自动降低输出电流,保护LED和驱动电路。
2. 主要特点与优势
- 外围电路极简:无需电解电容和磁性元件,驱动器体积小,成本低。
- 良好的可控硅调光兼容性:内置调光器检测及泄放电流控制,支持主流前切调光器。
- 内置350V高压MOS管:耐压350V,饱和电流280mA,满足高电压LED灯串驱动。
- 宽母线电压适应性:母线电压变化±10%仍可正常工作,抗电网波动能力强。
- 超快LED启动:集成高压启动线路,上电后LED快速点亮。
- 高恒流精度:±5% LED输出电流精度,优异的线性调整率。
- LED电流可外部设定:通过CS1/CS2电阻灵活配置主功率管电流和泄放电流。
- 内置过温调节功能:150℃过热调节点,保护系统安全。
- ESOP-8D封装:底部散热片增强散热,适合高功率密度设计。
3. 典型应用领域
- GU10/E27 LED球泡灯、筒灯
- LED吸顶灯、面板灯
- 其他市电输入的高压LED线性驱动照明
4. 典型应用电路

图1. CXLE86306GL 典型应用电路 (单段线性)
输入交流经整流桥后,通过VBUS和VIN引脚接入,LED灯串正极接整流输出,负极接芯片DRAIN引脚。HV引脚芯片内部供电。CS1电阻设置泄放电流,CS2电阻设置主功率管电流。TRIAC引脚检测调光器状态,VD引脚检测输入电压实现线补偿。
该线性方案无需变压器和电解电容,实现高PF(>0.9)和低THD,EMI性能优异。当接入可控硅调光器时,芯片自动开启泄放电流,确保调光器正常导通,输出电流随调光角度平滑变化。
5. 定购信息与管脚封装
| 定购型号 | 封装 | 温度范围 | 包装形式 | 打印标记 |
|---|---|---|---|---|
| CXLE86306GL | ESOP-8D | -40℃ ~ +105℃ | 编带,4000颗/盘 | CXLE86306G XXXX |

图2. ESOP-8D管脚封装图 (顶视图,底部带散热焊盘)
| 管脚号 | 管脚名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | VBUS | 芯片高压输入端,接整流桥输出,提供母线电压检测 |
| 2 | VIN | 芯片高压输入端,提供调光器维持电流 |
| 3 | TRIAC | 可控硅调光器检测端 |
| 4 | CS1 | Bleeder泄放电流采样端,外接电阻到GND |
| 5 | CS2 | LED主功率管电流采样端,外接电阻到GND |
| 6 | VD | 输入电压检测反馈端,用于线电压补偿 |
| 7 | DRAIN | 芯片内部线性恒流MOS漏极,连接LED负极 |
| 8 | HV | 芯片高压供电输入端 |
| 衬底 | GND | 芯片地,散热焊盘,需可靠焊接至PCB地平面 |
6. 极限参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 参数范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VIN, HV, VBUS, DRAIN | 高压接口电压 | -0.3 ~ 350 | V |
| TRIAC, CS1, CS2, VD | 低压接口电压 | -0.3 ~ 7 | V |
| PDMAX | 最大耗散功率 (ESOP-8D) | 1.25 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | 100 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | ℃ |
| TSTG | 储存温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
电气规格参数 (TA=25℃,除非特殊说明)
| 描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源部分 | |||||
| 芯片工作电流 | IOP | 250 | - | 350 | μA |
| 电流采样(CS1/CS2) | |||||
| CS1基准电压(泄放电流) | VCS1 | 250 | 265 | - | mV |
| CS2基准电压(主电流) | VCS2 | - | 900 | - | mV |
| CS2下钳位电压 | VCS2_clamp | - | 300 | - | mV |
| VD线电压补偿 | |||||
| 线补偿起点电压 | VD1 | - | 0.5 | - | V |
| VD下拉电阻 | RVD | - | 35.5 | - | kΩ |
| 内置功率MOSFET | |||||
| VIN击穿电压 | BVDS_VIN | 330 | - | - | V |
| VIN饱和电流 | IDS_VIN | - | 40 | - | mA |
| MOSFET击穿电压 | BVDS | 350 | - | - | V |
| MOSFET饱和电流 | IDS | - | 280 | - | mA |
| 过热调节 | |||||
| 过热调节温度 | TREG1 | - | 150 | - | ℃ |
7. 功能详解与应用设计指南
7.1 供电与启动
CXLE86306GL内部集成高压JFET,HV引脚直接接整流后母线电压(最高350V)。上电后JFET对内部电路供电,当内部电源电压达到启动阈值时芯片开始工作,启动速度快。正常工作电流仅250-350μA,无需外部VCC电容,系统极简。
7.2 驱动机制与输出电流设置
芯片采用线性恒流控制,主功率管电流通过CS2引脚外部电阻R_CS2设定。内部基准VCS2典型值为900mV,主功率管峰值电流计算公式:
由于线性驱动下LED电流随输入电压呈正弦波形,平均输出电流约为峰值电流的0.5~0.6倍(取决于输入电压波形和LED导通角)。例如:设计平均电流100mA,峰值电流约180mA,则R_CS2 = 0.9V / 0.18A = 5Ω。建议使用高精度电阻。
芯片根据VD引脚检测输入电压,实现线补偿:当VD电压大于0.5V时,VCS2基准开始下降,VD电压越大,VCS2基准越低,最低降到300mV。这有助于在高压输入时降低芯片功耗,优化效率。
7.3 可控硅调光与泄放电流设置
TRIAC引脚检测母线电压波形,判断是否接入调光器。当检测到调光器时,芯片自动开启泄放电流通路,确保调光器可控硅维持导通,避免闪烁。泄放电流通过CS1电阻设置:
注意泄放电流同时流过CS1和CS2电阻,建议R_CS2取值较小(如5Ω),R_CS1根据所需泄放电流计算。典型泄放电流设为10~20mA。当未检测到调光器时,芯片关闭泄放电流以降低功耗。
7.4 过温调节功能
CXLE86306GL具有过热调节功能,过热调节温度为150℃。当芯片结温超过150℃时,输出电流线性下降,限制温升,保护LED和芯片。在高温环境或密闭灯具中需确保良好散热。
7.5 增大输出电流能力
如需增大LED电流(超过280mA),可采取以下措施:
- 使用铝基板PCB,增大芯片衬底(GND)覆铜面积,加强散热。
- 增大整个灯具的散热底座,降低热阻。
- 并联多颗芯片或选用更高电流等级的线性驱动芯片。
在120Vac输入时,最大输入功率约10W;220Vac输入时可达15W左右,具体受散热条件影响。
7.6 保护功能
- 芯片过温调节:自动降电流,防止过热损坏。
- LED开路保护:开路时输出电压升高至母线电压,芯片内部MOS耐压350V,可承受开路电压,但建议在输出端并联TVS管做额外保护。
- 母线电压波动耐受:母线电压变化±10%内仍可正常工作,抗电网波动能力强。
选用CXLE86306GL,目标平均电流200mA,峰值电流约360mA。R_CS2 = 0.9V / 0.36A = 2.5Ω。泄放电流设15mA,R_CS1 = (0.265V / 0.015A) - R_CS2 ≈ 17.7Ω - 2.5Ω = 15.2Ω(选用15Ω)。VD引脚可不接外部电阻(内部下拉)。实测PF>0.9,THD<20%,调光兼容主流调光器。详细设计可参考嘉泰姆应用笔记AN-CXLE86306GL。
8. PCB布局设计指南
良好的PCB布局对CXLE86306GL的性能和散热至关重要,请遵循以下原则:
- 散热焊盘处理:芯片底部GND散热焊盘必须可靠焊接至PCB地平面,并尽量扩大覆铜面积,增加过孔到背面铜箔,以降低热阻。
- 地线设计:CS1和CS2采样电阻的功率地线应尽量短而粗,单独回到输入整流桥负极,避免与其他信号地共用。
- 信号线布局:TRIAC、CS1、CS2、VD等信号走线尽量短,远离高压走线(DRAIN、VBUS、VIN),保证足够的绝缘间距,避免噪声耦合。
- 高压引脚间距:高压引脚之间及与低压引脚之间需保持足够安全距离(>1mm),防止爬电。
- 地/DRAIN面积:地线和DRAIN引脚的铜皮面积尽可能大,以减小热阻,增强散热能力。
9. 封装信息 (ESOP-8D)

ESOP-8D封装机械尺寸 (单位:mm)
总长D:4.90±0.20,总宽E:5.80~6.40,引脚间距e:1.27BSC,高度A:1.35~1.75,散热焊盘尺寸:1.96~2.26 × 1.67~1.97。详细图纸请参考完整数据手册。工作温度范围-40℃~+105℃,符合RoHS标准。
10. 技术支持与设计资源
嘉泰姆电子为工程师提供全面的设计支持,包括CXLE86306GL评估板、调光兼容性测试报告、热设计指南及实时FAE技术支持。您可以通过以下方式获取样品和文档:
更多LED驱动产品选型请参考 嘉泰姆LED系列驱动选型芯片PDF,涵盖线性、开关、调光、非调光等全系列方案。
- Q: CXLE86306GL是否需要电解电容?
A: 不需要。线性拓扑本身无需电解电容即可实现高PF,但若需降低LED纹波,可并联小容量陶瓷电容。
- Q: 如何改善调光器兼容性?
A: 适当增大泄放电流(通过减小R_CS1),并可在输入端并联阻尼电阻和X电容,具体值请参考应用笔记。
- Q: 最大输出电流受什么限制?
A: 受芯片功耗和散热条件限制。在良好散热(铝基板)下,ESOP-8D封装可支持约10-15W输出功率(例如250mA/40V)。更大功率建议使用多段线性或开关方案。

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