CXLE83220CL Boost升压可控硅调光LED驱动芯片
产品型号:CXLE83220CL | 封装:SOP-8 | 拓扑:Boost升压 | 更新时间:2026年4月
1. 产品概述
CXLE83220CL 是嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的一款高效率、高功率因数、支持可控硅调光的LED驱动芯片,专为Boost升压拓扑结构优化。芯片内部集成500V功率MOSFET,采用栅极驱动和高压JFET供电技术,无需外部VCC电容,仅需极少外围元件即可实现优异的恒流特性,极大降低系统成本和体积。CXLE83220CL适用于需要输出电压高于输入电压的应用场景,如多颗LED串联的球泡灯、蜡烛灯等。
芯片工作在电感电流临界连续模式(BCM),具有低开关损耗和良好的EMI性能。内置闭环恒流控制(COMP)和最大导通时间调节功能,可灵活匹配不同电感和调光器特性。CXLE83220CL集成多重保护:LED开路保护(过压保护)、芯片过热调节,并支持NTC外部温度检测及RTH电阻设定过热调节点,实现智能温控。采用SOP-8封装,特别适用于紧凑型LED照明驱动。
2. 主要特点与优势
- 支持可控硅调光:兼容主流前切/后切调光器,调光范围宽,无闪烁。
- 内置闭环恒流控制(COMP):无需外部补偿网络,自动调节占空比实现高精度恒流。
- 内部集成500V功率MOSFET:耐压500V,导通电阻23Ω(典型值),适合Boost拓扑。
- 临界连续电流控制模式:电感电流临界导通,降低开关损耗和EMI。
- 集成高压JFET供电:无需VCC电容和启动电阻,进一步减少外围元件。
- 高恒流精度:±5% LED输出电流精度,优异的线性调整率。
- 精准的LED开路保护(OVP):可外部电阻设置过压保护点,保护LED负载。
- 可调过热调节及NTC保护:通过RTH引脚外接电阻或NTC热敏电阻,灵活设置过热调节起始点,实现过温降电流。
- SOP-8封装:体积小,适合高密度电源设计。
3. 典型应用领域
- LED球泡灯、蜡烛灯、射灯
- LED灯丝灯、装饰照明
- 需要Boost升压拓扑的LED驱动(输出电压高于输入电压)
- 可控硅调光LED照明
4. 典型应用电路

图1. CXLE83220CL 典型应用电路 (Boost升压拓扑)
输入经整流后,HV引脚直接接母线高压(最高600V)为芯片供电,无需VCC电容。储能电感L连接于输入和DRAIN之间,续流二极管和输出电容组成升压输出回路。CS电阻设定峰值电流,OVP电阻分压设置输出过压保护点。Tonmax电阻调节最大导通时间,RTH引脚外接电阻或NTC设定过热调节温度。
Boost拓扑特别适合输入电压较低而需要驱动多颗LED串联的应用(例如12V AC输入驱动30V以上LED灯串)。芯片通过内置闭环恒流控制,自动调节开关占空比,确保输出电流恒定。当接入可控硅调光器时,CXLE83220CL根据导通角自动调整输出电流,实现平滑调光。
5. 定购信息与管脚封装
| 定购型号 | 封装 | 温度范围 | 包装形式 | 打印标记 |
|---|---|---|---|---|
| CXLE83220CL | SOP-8 | -40℃ ~ +105℃ | 编带,4000颗/盘 | CXLE83220CL XXXX |

图2. SOP-8管脚封装图 (顶视图)
| 管脚号 | 管脚名称 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | RTH | 过温调节起始温度设置及NTC功能引脚,外接电阻到GND设定过热调节点,可并联NTC实现外部温度补偿 |
| 2 | Tonmax | 最大导通时间设置脚,外接电阻到GND调节最大ton |
| 3 | GND | 芯片地,信号地/功率地单点连接 |
| 4 | CS | 电流采样端,外接采样电阻到地 |
| 5 | DRAIN | 内置功率MOSFET漏极,连接电感 |
| 6 | HV | 高压供电输入端,直接接整流后母线电压(最高600V) |
| 7 | NC | 悬空 |
| 8 | OVP | 过压保护信号采样端,外接电阻分压到输出正极 |
6. 极限参数与电气特性
| 符号 | 参数 | 参数范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| HV | 高压供电输入端电压 | -0.3 ~ 600 | V |
| DRAIN | 内置功率MOS管漏极电压 | -0.3 ~ 500 | V |
| RTH/CS/OVP/Tonmax | 低压引脚电压范围 | -0.3 ~ 6 | V |
| PDMAX | 最大耗散功率 (SOP-8) | 0.45 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | ℃ |
| TSTG | 储存温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
电气规格参数 (TA=25℃,HV=30V,除非特殊说明)
| 描述 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源部分 | |||||
| 启动电流(HV) | I_StHV | - | 1 | - | mA |
| 工作电流(HV) | I_OPHV | 211 | 281 | 351 | μA |
| 电流采样(CS) | |||||
| 电流检测基准电压 | VCS_REF | 388 | 400 | 412 | mV |
| 峰值限流阈值 | VCS_LIMIT | - | 1.4 | - | V |
| 前沿消隐时间 | LEB | - | 350 | - | ns |
| 内部时间控制 | |||||
| 最小退磁时间 | TOFF_MIN | - | 2.5 | - | μs |
| 最大退磁时间 | TOFF_MAX | 28 | 37 | 52 | μs |
| 最大导通时间(Tonmax接51k) | TON_MAX | 10.8 | 11.5 | 13.2 | μs |
| RTH引脚 | |||||
| RTH上拉电流 | I_RTH | 46 | 50 | 54 | μA |
| 开路保护(OVP) | |||||
| 过压保护触发阈值 | VOVP_H | 0.48 | 0.50 | 0.52 | V |
| 过压保护退出阈值 | VOVP_L | - | 0.4 | - | V |
| 内置功率MOSFET | |||||
| 导通电阻 | RDS_ON | - | 23 | 33.6 | Ω |
| 击穿电压 | BVDS | 500 | - | - | V |
7. 功能详解与应用设计指南
7.1 启动与供电
CXLE83220CL采用高压JFET供电技术,HV引脚直接连接到整流后的母线电压(最高600V)。芯片内部集成启动JFET,上电后快速为内部电路供电,无需外部VCC电容和启动电阻。正常工作后,芯片功耗极低(典型281μA),整个系统外围元件极少,大幅降低BOM成本。
7.2 恒流控制与输出电流设置
芯片采用闭环恒流控制(COMP),CS端内部基准电压VCS_REF典型值为400mV。输出电流由CS采样电阻R_CS决定,计算公式非常简单:
例如:设计输出电流300mA,则R_CS = 400mV / (2 * 300mA) ≈ 0.667Ω,选用0.66Ω标准电阻。由于采用平均电流控制,输出电流不依赖于输入电压和电感量,具有极佳的线性调整率和负载调整率,精度达±5%。
7.3 储能电感设计 (Boost拓扑)
芯片工作在电感电流临界连续模式(BCM),每个开关周期电感电流从零开始上升至峰值IPK,再下降至零。Boost拓扑的导通时间ton和关断时间toff分别为:
电感量L的计算公式:
其中f为系统工作频率。建议在最低输入电压下设置最低工作频率(通常30~50kHz),最高输入电压时频率最高(通常不超过100kHz)。电感峰值电流IPK = 2 * I_LED。设计时需确保电感不饱和,并选用合适的磁芯。
7.4 最大导通时间(Tonmax)设置
Tonmax引脚外接电阻R_TON到GND可调节芯片最大导通时间,从而控制系统工作频率和调光特性。电阻值与最大导通时间的关系:R_TON=51kΩ时TON_MAX≈11.5μs。Tonmax引脚不允许悬空,建议电阻范围30k~100kΩ。
7.5 输出过压保护(OVP)设置
OVP引脚通过外部电阻分压检测输出电压,实现LED开路保护。过压保护点计算公式:
其中R1为上分压电阻(连接输出正极到OVP引脚),R2为下分压电阻(OVP引脚到GND),VOVP_H=0.5V(典型值)。为了提高OVP精度,建议R2取1kΩ左右。例如:要求过压保护点为60V,则(R1+R2)/R2 = 60/0.5 = 120,取R2=1kΩ,则R1=119kΩ(选用120kΩ)。
7.6 过热调节与NTC功能
CXLE83220CL提供灵活的过热调节功能。RTH引脚内部上拉50μA电流源,外接电阻R_RTH到GND可设置过热调节起始温度。芯片内部监测RTH引脚电压,当电压随温度变化(使用NTC时)或达到设定阈值时,逐渐降低CS基准电压,从而减小输出电流,限制温升。
使用固定电阻时,过热调节点由电阻值决定;使用NTC热敏电阻(与固定电阻并联)可实现外部温度检测。当RTH引脚电压低于0.5V时,芯片基准开始下降;低于0.34V时,基准电压降到60%。建议在RTH引脚对地并联330pF电容滤除高频噪声。若使用NTC功能,建议在RTH对地并联一个100kΩ以下电阻将芯片过温调节设为150℃作为保护基点。
7.7 可控硅调光工作原理
CXLE83220CL专为可控硅调光优化。当外部可控硅调光器改变导通角时,母线电压有效值和波形发生变化。芯片通过Tonmax限制和闭环恒流控制,使输出电流跟随导通角成比例变化,实现从0%~100%的平滑调光。内部设计有调光一致性补偿,避免不同调光器产生的闪烁和跳变。建议在输入端加阻尼电路和X电容以改善与老旧调光器的兼容性。
7.8 保护功能
- LED开路保护(OVP):当输出电压超过设定的V_OVP阈值时,芯片停止开关,防止输出电容和LED损坏;故障解除后自动恢复。
- 逐周期限流:CS峰值电压超过1.4V时立即关断功率管,保护MOSFET和电感。
- 过热调节:通过RTH引脚设置,芯片结温超过设定值后输出电流自动减小,确保系统在高温环境下稳定工作。
选用CXLE83220CL,目标I_LED=133mA,计算R_CS = 400mV/(2*0.133A)=1.5Ω。电感量L=1.5mH,峰值电流IPK=266mA。Tonmax电阻选51kΩ,OVP电阻R2=1kΩ,R1=120kΩ,设置OVP约60V。RTH引脚接100kΩ电阻设定过热调节点约130℃。配合适当的输入阻尼电路,调光范围可达5%~100%无闪烁。详细设计可参考嘉泰姆应用笔记AN-CXLE83220CL。
8. PCB布局设计指南
良好的PCB布局对CXLE83220CL的性能和调光兼容性至关重要,请遵循以下原则:
- RTH和Tonmax电阻靠近芯片:RTH和Tonmax引脚电阻应紧贴芯片引脚放置,且节点远离高压开关节点和噪声源(如DRAIN、电感)。
- 地线处理:CS采样电阻的功率地线应尽量短而粗,单独回到输入电容负极,芯片GND直接连接到该点,避免大电流地干扰。
- OVP采样走线:OVP引脚走线应远离电感和DRAIN,分压电阻尽量靠近OVP引脚,以减少噪声耦合。
- 功率环路面积最小化:主功率回路(输入电容正极→电感→DRAIN→CS电阻→输入电容负极)面积应尽可能小,以降低EMI辐射。
- DRAIN铺铜:适当增加DRAIN引脚铺铜面积有助于散热,但过大的铜皮会增大寄生电容影响EMI,需权衡。
- HV引脚走线:HV引脚直接接母线高压,走线需保持足够间距,避免与低压信号耦合。
9. 封装信息 (SOP-8)

SOP-8封装机械尺寸 (单位:mm)
总长D:4.90±0.20,总宽E:6.00±0.20,引脚间距e:1.27BSC,高度A:1.30~1.80,A1:0.05~0.25。详细图纸请参考完整数据手册。工作温度范围-40℃~+105℃,符合RoHS标准。
10. 技术支持与设计资源
嘉泰姆电子为工程师提供全面的设计支持,包括CXLE83220CL评估板、调光兼容性测试报告、电感设计工具及实时FAE技术支持。您可以通过以下方式获取样品和文档:
更多LED驱动产品选型请参考 嘉泰姆LED系列驱动选型芯片PDF,涵盖非隔离、隔离、高PF、调光等全系列方案。
- Q: CXLE83220CL Boost拓扑与Buck-Boost有何区别?
A: Boost拓扑输出电压必须高于输入电压,适用于低压输入驱动高压LED串;Buck-Boost可升压或降压,但效率略低。CXLE83220CL专为Boost优化。
- Q: 如何使用NTC实现外部温度补偿?
A: 将NTC热敏电阻与固定电阻并联后接在RTH引脚与GND之间,温度升高时NTC阻值下降,RTH电压降低,超过阈值后芯片自动降低输出电流。
- Q: 芯片是否支持PWM调光?
A: 可通过在CS引脚叠加外部PWM信号实现模拟调光,具体方案请咨询FAE。

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