CXLE83223HL 升降压闭环可控硅调光LED驱动芯片:内置650V MOS,无VCC电容设计
产品版本:Rev.1.1 | 发布日期:2026年4月 | 型号:CXLE83223HL | 嘉泰姆电子(jtm-ic.com)
1. 产品概述:升降压拓扑可控硅调光闭环恒流方案
CXLE83223HL是嘉泰姆电子(JTM-IC)推出的一款高效率、高功率因数、支持可控硅调光的升降压(Buck-Boost)LED驱动芯片。芯片工作于电感电流临界连续模式,特别适用于输入电压范围宽、输出电压可高于或低于输入电压的LED照明应用,如球泡灯、蜡烛灯等。CXLE83223HL内置650V功率MOSFET(耐压更高,适用于更高母线电压的场合),采用600V高压JFET供电技术,无需外部VCC电容和启动电阻,外围元件极少。内部集成闭环恒流控制(COMP),输出电流精度高达±5%,并支持通过RTH引脚灵活设定过热调节温度或外接NTC实现温度折返保护。芯片具备LED开路保护(差分采样OVP)、LED短路保护、逐周期限流、最大导通时间可调(Tonmax)等丰富功能,采用SOP-8封装,是构建小体积、长寿命、高兼容性可控硅调光LED驱动电源的理想选择。
相较于传统隔离方案,CXLE83223HL的Buck-Boost拓扑可实现>0.9的功率因数和宽输入输出范围,同时利用临界连续模式(BCM)提升效率并降低EMI。内置的Tonmax可调功能使工程师能够灵活匹配不同电感量和调光器特性,确保出色的调光平滑度。650V功率管使该芯片特别适合220Vac输入甚至277Vac工业照明应用,提供更安全的电压裕量。
2. CXLE83223HL 核心特点与技术优势
- 支持可控硅调光: 内置调光检测与Tonmax限制,输出电流随调光角度同步调节,调光范围宽且无闪烁。
- 闭环恒流控制(COMP): 内部集成误差放大器和补偿网络,实现高精度输出电流调节,无需外部补偿元件。
- 内置650V功率MOSFET: 集成耐压650V、导通电阻4.7Ω(典型值)的功率管,适应更高输入电压,提高系统可靠性。
- 临界连续电流控制模式(BCM): 电感电流临界导通,提升效率,减小EMI。
- 集成600V高压JFET供电: 无需外部VCC电容和启动电阻,上电后快速启动,减少外围元件数量。
- ±5% LED输出电流精度: 通过外部CS电阻精确设定输出电流,批量一致性好。
- 差分采样LED开路保护(OVP): VS/OVP差分引脚采样输出电压,提高抗干扰能力,精准保护。
- LED短路保护: 输出短路时芯片工作于最大退磁时间(Toff_max=200μs),安全可靠。
- RTH设定过热调节与NTC功能: 支持外接电阻设定过温调节点(150℃/120℃/130℃可选),并可兼容NTC热敏电阻实现线性降功率。
- 最大导通时间可调(Tonmax): 外接电阻调节Tonmax(10.8~13.2μs@51kΩ),优化不同输入电压下的工作频率和调光线性度。
这些特性使CXLE83223HL成为高性能可控硅调光LED驱动电源的优选芯片,尤其适用于需要宽电压输入、高PF、小体积的灯具场合,如北美277Vac工业照明或中国220Vac球泡灯。
3. 引脚配置与功能描述
CXLE83223HL采用SOP-8封装,引脚功能如表1所示。管脚封装图见图2(预留图片位置)。

⚡ 图2 CXLE83223HL 管脚封装图(用户可在此添加透明背景图片)
| 管脚号 | 管脚名称 | 功能描述 |
|---|---|---|
| 1 | VS | 过压保护信号差分采样负端,接输出地电位。 |
| 2 | RTH | 过温调节起始温度设置及NTC功能引脚。外接电阻到地设定过热调节点;可并联NTC实现温度折返保护。 |
| 3 | Tonmax | 最大导通时间设置引脚。外接电阻到地调节最大导通时间,不允许悬空。 |
| 4 | CS | 电流采样端,外接采样电阻到地,检测电感峰值电流。 |
| 5 | DRAIN | 内置功率MOS管的漏极,连接电感和续流二极管。 |
| 6 | HV | 高压供电输入端,直接接整流后母线(最高600V),内部JFET为芯片供电。 |
| 7 | GND | 芯片地,所有信号参考地。 |
| 8 | OVP | 过压保护信号差分采样正端,通过电阻分压接输出正极。 |
4. 电气参数与极限特性(工程师核心参考)
以下表格给出了CXLE83223HL的极限参数和典型电气特性(TA=25℃,HV=30V)。
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| HV | 高压供电输入端 | -0.3 ~ 600 | V |
| DRAIN | 内置MOS漏极 | -0.3 ~ 650 | V |
| RTH / Tonmax / CS / VS / OVP | 低压引脚 | -0.3 ~ 7.5 / 6 / 6 / 6 / 6 | V |
| PDMAX | 最大功耗(注2) | 0.45 | W |
| θJA | 结到环境热阻 | 145 | ℃/W |
| TJ | 工作结温范围 | -40 ~ 150 | ℃ |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 描述 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IST_HV | HV启动电流 | 上电时 | - | 1 | - | mA |
| IOP_HV | 芯片工作电流 | 稳态 | 210 | 280 | 350 | μA |
| VCS_REF | CS基准电压 | 闭环调节 | 388 | 398 | 412 | mV |
| VCS_LIMIT | 峰值限流阈值 | 逐周期 | 1.1 | 1.2 | 1.3 | V |
| TLEB | 前沿消隐时间 | - | - | 350 | - | ns |
| TOFF_MIN | 最小退磁时间 | - | - | 2.5 | - | μs |
| TOFF_MAX | 最大退磁时间 | 短路保护 | - | 200 | - | μs |
| TZCD_MASK | 退磁屏蔽时间 | - | - | 1.75 | - | μs |
| TON_MAX | 最大导通时间 | Tonmax接51kΩ | 10.8 | 11.5 | 13.2 | μs |
| IRTH | RTH上拉电流 | VRTH<2V | 46 | 50 | 54 | μA |
| VOVP_H | OVP触发阈值 | 上升沿 | 0.48 | 0.50 | 0.52 | V |
| VOVP_L | OVP退出阈值 | 下降沿 | - | 0.4 | - | V |
| RDS_ON | MOS导通电阻 | VGS=10V, ID=0.5A | - | 4.7 | - | Ω |
| BVDS | MOS击穿电压 | VGS=0V, ID=250μA | 650 | - | - | V |
| TREG1 | 过热调节温度1 | RTH=75kΩ | - | 150 | - | ℃ |
| TREG2 | 过热调节温度2 | RTH=300kΩ | - | 120 | - | ℃ |
| TREG3 | 过热调节温度3 | RTH悬空 | - | 130 | - | ℃ |
5. 工作原理与关键技术解析
CXLE83223HL工作于电感电流临界连续模式(BCM)。当内置功率MOS管导通时,Buck-Boost电感电流从零线性上升,能量存储在电感中;当MOS关断时,电感通过续流二极管向输出电容和LED负载放电,电流线性下降。芯片通过CS引脚检测电感峰值电流,内部闭环控制环路(COMP)调节导通时间,使输出电流恒定。输出电流计算公式为:
例如,若需要输出100mA LED电流,则R_CS = 0.398V / (2*0.1A) ≈ 1.99Ω,选用2Ω电阻。
可控硅调光机制: 当外部接入可控硅调光器时,输入电压波形被斩波。CXLE83223HL通过检测母线电压和内部Tonmax限制,自动调整输出电流与调光角度成正比,实现平滑调光。最大导通时间(Tonmax)可通过外部电阻在10.8μs~13.2μs范围内微调,从而匹配不同电感量和调光器特性。
高压供电: HV引脚内部集成600V JFET,直接连接整流母线。上电后JFET为芯片提供启动电流,启动后芯片工作电流仅280μA,由内部稳压电路供电,无需外部VCC电容和启动电阻。
差分过压保护(OVP): VS和OVP引脚构成差分采样网络,通过外部两只等值电阻(R1,R2)分压检测输出电压。当OVP引脚电压超过0.5V(典型值)时,芯片触发过压保护并停止开关动作,防止LED开路损坏。OVP设置公式:
LED短路保护: 当输出短路时,电感退磁时间极长,芯片检测到退磁时间超过TOFF_MAX(200μs)后,会主动重启,避免过热损坏。
6. 过温调节与NTC功能详解
CXLE83223HL提供灵活的过热调节机制。RTH引脚内部有50μA上拉电流,外接电阻到地可设定过热调节起始温度。典型配置:
- RTH=75kΩ: 过温调节点约为150℃(适用于散热良好的设计)。
- RTH=300kΩ: 过温调节点约为120℃(适用于小体积密闭灯具)。
- RTH悬空: 过温调节点约为130℃(默认中等保护)。
- NTC温度折返: 在RTH引脚并联NTC热敏电阻(并可选固定电阻),当温度升高时NTC阻值下降,RTH电压降低,输出电流线性减小。当RTH电压低于0.5V时,芯片基准开始下降;低于0.34V时,CS基准降至正常值的60%,实现深度降功率保护。
建议在RTH引脚对地并联330pF电容滤除高频噪声。该功能显著提高了系统在高温环境下的可靠性,特别适合密闭式灯具。
7. 典型应用电路与设计指南
图1为CXLE83223HL在Buck-Boost拓扑中的典型应用电路。输入经整流桥后,HV引脚直接取电,电感L1连接于整流正极与DRAIN引脚之间,续流二极管D1连接DRAIN至输出LED+,输出电容Cout并联LED负载。CS电阻Rcs连接于CS与GND之间。Tonmax和RTH分别接电阻到地设定参数。OVP通过两只等值电阻R1、R2差分采样输出电压,VS接输出地,OVP接分压中点。

⚡ 图1 CXLE83223HL 典型应用电路(Buck-Boost)
(用户可在此添加透明背景原理图)
关键元件设计:
- 电感L1: Buck-Boost电感计算公式:L = (V_LED * V_IN) / (f * I_PK * (V_LED+V_IN))。推荐使用磁芯电感,饱和电流需大于峰值电流。
- CS采样电阻: 选用高精度、低温度系数的电阻,功率额定值需满足I^2*R损耗。
- 输出电容: 建议采用低ESR电解电容(如10μF~47μF)并联高频陶瓷电容,以降低输出纹波。
- 续流二极管: 选择快恢复二极管或超快恢复二极管,耐压需高于输出电压+输入电压,电流能力大于峰值电感电流。推荐使用600V/1A超快恢复管。
- Tonmax电阻: 典型值51kΩ(对应11.5μs),可通过调节改变最大导通时间,适应不同电感量和调光深度。
- OVP分压电阻: 两只电阻R1,R2阻值相等(推荐10kΩ~100kΩ),提高差分采样抗干扰能力。
8. PCB布局与EMI优化建议
为保证CXLE83223HL稳定工作并满足EMI标准,PCB布局需遵循以下指南:
- 地线处理: CS采样电阻的功率地应单独走线并尽量短,直接回到芯片GND引脚,避免与大电流回路共用。芯片GND应单点连接到系统地。
- RTH / Tonmax / OVP/VS 引脚: 这些电阻需紧靠芯片对应引脚,连线尽量短,并远离DRAIN、电感等高压开关节点,必要时可加屏蔽地线。
- 功率环路面积: 减小功率环路(整流母线电容 -> 电感 -> 芯片DRAIN -> 续流二极管 -> 输出电容 -> 母线地)的面积,以降低EMI辐射。
- DRAIN铺铜: 适当增加DRAIN引脚铜面积有助于散热,但过大的铺铜会增加开关噪声耦合,建议在DRAIN与GND之间预留RC吸收电路位置。
- CS引脚: 电流采样电阻到芯片CS引脚的走线尽量短,避免引入额外噪声。
- 差分OVP走线: VS和OVP应并行走线,远离功率电感,提高采样精度。
嘉泰姆电子提供参考PCB布局和Gerber文件,欢迎联系FAE获取。
9. 设计实例:10W 可控硅调光球泡灯方案(Buck-Boost)
以输入电压220Vac(整流后约100V~310V),输出36V/280mA(10W)LED驱动为例:选用CXLE83223HL,Buck-Boost拓扑。设计参数:
- 输出电流:280mA → R_CS = 0.398V / (2*0.28A) ≈ 0.71Ω,选用0.7Ω/1%电阻。
- 电感设计:最低输入电压100Vdc,输出电压36V,开关频率约60kHz,峰值电流I_PK=2*I_LED=0.56A,计算电感量L ≈ (36*100)/(60k*0.56*(36+100)) ≈ 0.55mH。选用560μH/1A饱和电流电感。
- Tonmax电阻:51kΩ(标准值)。
- OVP设置:过压保护点设为45V,R1=R2,根据公式 45 = ((R1+10k)/10k)*0.5,解得R1=890kΩ,选用887kΩ/1%电阻。
- RTH:要求过温保护130℃,RTH悬空即可。
- 续流二极管:选用US1J(600V/1A)或ES1J。
该方案可实现PF>0.92,效率>87%,调光范围5%~100%,兼容主流可控硅调光器(如Lutron、Panasonic)。
10. 订购信息与封装尺寸

⚡ 表4 CXLE83223HL 订购信息与封装尺寸图
(用户可在此添加透明背景订购信息图)
| 订购型号 | 封装 | 温度范围 | 包装形式 | 打印标识 | 最小包装 |
|---|---|---|---|---|---|
| CXLE83223HL | SOP-8 | -40℃ ~ 105℃ | 编带卷盘 | CXLE83223H + 批次码 | 4000颗/盘 |
SOP-8封装尺寸:总宽5.8~6.4mm,总长4.7~5.1mm,高度1.3~1.8mm,引脚间距1.27mm。详细图纸请参考官方数据手册或联系销售代表。
11. 嘉泰姆电子:专注高性能LED驱动解决方案
嘉泰姆电子(jtm-ic.com)致力于为全球照明市场提供创新的驱动芯片。CXLE83223HL作为升降压闭环可控硅调光LED驱动芯片,集成了高压JFET供电、闭环恒流、可调过温和差分OVP等多种先进功能,极大简化了宽电压、高PF、可调光LED驱动电源的设计。650V内置MOS使其特别适合高输入电压应用。公司提供完整的技术文档、设计计算工具和FAE现场支持,帮助客户快速量产。如需获取CXLE83223HL评估板、电感设计工具或定制化服务,请通过以下方式联系。

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