CXMD32143 600V半桥预驱动芯片
单输入控制 · 独立使能引脚 · 内置死区 · 兼容3.3V/5V/15V逻辑 · SOP8封装

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXMD32143 | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXMD32143 是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压高速半桥预驱动芯片。芯片采用单输入IN同时控制高侧和低侧两个输出通道，内部自动生成互补的HO和LO信号，并插入死区时间以避免桥臂直通。芯片还提供独立的使能引脚EN，高电平有效时双通道正常工作，低电平时同时关断两路输出，实现快速系统级保护。输入逻辑电平兼容3.3V/5V/15V信号，可直接与MCU或DSP接口。浮动高侧通道可驱动高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。栅极驱动电源电压范围为10V~20V，内置高低侧欠压保护功能。采用SOP8封装，特别适用于H桥及逆变器等需要半桥驱动的应用场景。

1. 产品概述与核心优势

CXMD32143 是一款面向H桥和逆变器应用的半桥预驱动芯片。其最显著的特点是单输入控制架构配合独立使能引脚。IN引脚同时控制高侧和低侧输出——IN为高电平时HO输出高电平、LO输出低电平，IN为低电平时HO输出低电平、LO输出高电平，两路之间自动插入死区时间。这种设计只需MCU提供一路PWM信号即可控制整个半桥，节省了引脚资源。EN引脚则提供了额外的系统级控制，正常工作时需置高，低电平时强制HO和LO同时关断，适用于硬件过流保护或紧急停机等应用。高侧通道采用浮动电源设计，最高可承受600V的母线电压。

2. 主要特点与技术亮点

• 高侧驱动浮动电源设计，最高耐压600V
• 单输入IN同时控制高侧和低侧双通道
• 独立使能引脚EN，低电平关断两路输出
• 栅极驱动电源电压：10V~20V
• 支持3.3V/5V/15V输入逻辑电平
• 高低侧均带欠压保护功能
• 内置死区时间
• SOP8封装，引脚布局简洁

3. 引脚封装与说明

CXMD32143采用SOP8封装，引脚定义如下：

图1. CXMD32143 引脚封装图 (SOP8)
[ 封装外形示意图 ] 详细尺寸请参见数据手册机械图部分。

4. 内部功能框图与工作原理

图2. CXMD32143 内部功能框图
[ 内部功能模块 ] 包含输入逻辑（单输入转双通道）、死区时间控制、EN使能逻辑、高侧电平移位、欠压保护、HO/LO驱动输出。

单输入控制逻辑

CXMD32143内部将IN信号同时送到高侧和低侧通道。HO与IN同相，LO与IN反相。内部死区时间在HO和LO切换时自动插入保护间隙，防止桥臂直通。这种设计只需MCU提供一路PWM信号即可控制整个半桥。

使能引脚EN

EN为高电平有效使能输入。当EN为高电平时，HO和LO正常输出；当EN为低电平时，HO和LO同时强制输出低电平，两路MOSFET均关断。该引脚可用于系统级保护，如硬件过流比较器输出直接连接EN实现快速关断。

自举供电原理

高侧驱动采用自举供电方式。当低侧MOSFET导通时，VS引脚被拉至COM电平，VCC通过自举二极管对VB与VS之间的自举电容充电。当低侧关断、高侧导通时，VS被拉升至母线电压，VB自动浮升至VS+自举电容电压，为高侧驱动级供电。

欠压保护

VCC和VB分别带有欠压保护电路。当VCC或VB电压低于UVLO阈值时，对应的LO或HO输出被强制拉低。当电压回升至释放阈值以上时输出恢复正常，迟滞电压约0.9V。

5. 极限参数与电气特性

所有电压参数都以COM为参考地。工作结温范围-40℃~150℃。

极限参数表

关键电气参数 (VCC=VBS=15V, Ta=25℃)

6. 典型应用电路

图3. CXMD32143 典型半桥应用电路
[ 电路原理图 ] 包含VCC供电、自举二极管与电容、IN/EN输入、HO/LO输出连接半桥MOSFET。

7. 设计指导要点

• 自举电容选择：VB与VS之间需外接自举电容，推荐0.1μF~1μF陶瓷电容。高频应用取小值，低频或大栅极电荷MOSFET取大值。
• 自举二极管选择：需选用快恢复或超快恢复二极管，耐压不低于母线电压。
• VCC去耦：VCC与COM之间就近放置1μF+0.1μF陶瓷电容组合。
• 输入信号注意：IN与HO同相，IN为高时HO输出高电平、LO输出低电平。EN正常工作时需保持高电平，低电平时两路输出均关断。动态传输时间受外围走线寄生参数影响，建议以实测数据为准。
• 单输入控制优势：只需MCU提供一路PWM信号即可控制整个半桥，配合EN引脚可实现硬件使能或快速保护关断。
• PCB布局：HO和LO走线宽而短，VB和VS之间自举电容紧靠芯片引脚。COM和VS分别为低侧和高侧的参考地，布局时注意功率回路面积最小化。