CXMD32151 高压单相IPM智能功率模块
集成300V/7A MOSFET · 内置自举二极管 · 死区保护 · ESOP13封装

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXMD32151 | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXMD32151 是一款高压单相IPM，内部集成高压IC以及高性能MOSFET，适用于直流无刷BLDC和永磁同步PMSM电机驱动。芯片内置300V/7A功率MOSFET，低侧MOSFET源极引出可供电流采样。输入端包含史密斯触发器，逻辑电平兼容3.3V/5V/15V信号。模块内置自举二极管，对负瞬态电压具有高鲁棒性。栅极驱动电压范围支持10V~20V，高侧和低侧均支持UVLO欠压保护。内置死区时间避免上下管直通。采用ESOP13封装，特别适用于高速风筒、风扇及电动工具等需要紧凑高效电机驱动的应用场景。

1. 产品概述与核心优势

CXMD32151 是一款面向中等功率电机驱动的高度集成IPM模块。它将高压半桥驱动IC和功率MOSFET集成在同一封装内，相比分立方案大幅缩减了PCB面积和元件数量。内置自举二极管省去了外部元件，降低BOM成本。输入端史密斯触发器提高了抗噪声能力，适合在电机换相噪声较大的环境中稳定工作。低侧MOSFET源极单独引出，方便进行单电阻或双电阻电流采样。300V/7A规格适合较低母线电压、较大电流的应用场景。

2. 主要特点与技术亮点

• 内置高性能300V/7A MOSFET
• 内置自举二极管，简化外围电路
• 对负瞬态电压具有高鲁棒性
• 栅极驱动电压范围：10V~20V
• 输入逻辑电平兼容3.3V/5V/15V，内置史密斯触发器
• 高侧和低侧均支持UVLO欠压保护
• 内置死区时间避免桥臂直通
• ESOP13封装，紧凑高效

3. 引脚说明

CXMD32151采用ESOP13封装，核心引脚功能如下：

图1. CXMD32151 典型BLDC电机驱动应用电路
[ 电路原理图 ] 包含VCC/VCCB供电、自举电容、HIN/LIN输入、VS输出连接电机绕组、N端电流采样电阻。

4. 关键电气参数

5. 设计指导要点

• 自举电容选择：VB与VS之间需外接自举电容，推荐0.1μF~1μF陶瓷电容。
• 死区时间设置：IPM内置死区时间，MCU控制算法设置的外部死区时间应至少1μs。
• 电流采样：低侧MOSFET源极N端引出，可外接采样电阻进行相电流检测。
• VCC供电：推荐12V~18V供电，VCC和GND之间就近放置1μF+0.1μF陶瓷电容组合。
• PCB布局：P和N引脚之间的功率回路面积最小化。VS输出走线宽而短。