CXMD32150NBI/NB 分离式半桥功率模块
500V/3A MOSFET · 高侧集成预驱 · 低侧集成自举 · 分离封装灵活布局

更新时间：2026年4月 | 产品型号：CXMD32150NBI + CXMD32150NB | 嘉泰姆电子 (JTM-IC)

嘉泰姆电子（JTM-IC）推出的CXMD32150NBI与CXMD32150NB是一组搭配使用的分离式半桥功率模块，适用于直流无刷BLDC电机和永磁同步PMSM电机驱动。CXMD32150NBI内部集成高压预驱和一颗高性能500V/3A MOSFET，负责高侧驱动。CXMD32150NB内部集成一颗Bootstrap二极管和一颗高性能500V/3A MOSFET，负责低侧驱动，其源极引出可供电流采样。两颗芯片搭配即构成完整的半桥功率级。输入端包含史密斯触发器，逻辑电平兼容3.3V/5V/15V信号。对负瞬态电压具有高鲁棒性，栅极驱动电压范围支持10V~20V，高侧和低侧均支持UVLO欠压保护。内置死区时间避免上下管直通。CXMD32150NBI采用HSOP7封装，CXMD32150NB采用ESSOP6封装。分离式设计的灵活布局特别适用于高速风筒、风扇及电动工具等对PCB空间和散热有特殊要求的电机驱动场景。

1. 产品概述与核心优势

CXMD32150NBI与CXMD32150NB的组合方案将半桥功率级拆分为两颗独立封装的芯片。高侧芯片NBI集成预驱和上管MOSFET，低侧芯片NB集成自举二极管和下管MOSFET，两颗芯片之间通过外部走线连接构成完整半桥。相比传统的单封装IPM方案，分离式设计在PCB布局上更加灵活——高侧和低侧芯片可以分别靠近各自对应的母线电容和采样电阻放置，优化功率回路面积和散热路径。低侧MOSFET源极单独引出，方便进行单电阻或双电阻电流采样。内置自举二极管省去了外部元件，输入端史密斯触发器提高了抗噪声能力。

2. 主要特点与技术亮点

• CXMD32150NBI：内部集成高压预驱及500V/3A MOSFET（高侧）
• CXMD32150NB：内部集成Bootstrap二极管及500V/3A MOSFET（低侧）
• 低侧MOSFET源极引出，可供电流采样
• 对负瞬态电压具有高鲁棒性
• 栅极驱动电压范围：10V~20V
• 输入逻辑电平兼容3.3V/5V/15V，内置史密斯触发器
• 高侧和低侧均支持UVLO欠压保护
• 内置死区时间避免桥臂直通
• NBI采用HSOP7封装，NB采用ESSOP6封装

3. 引脚说明

CXMD32150NBI（HSOP7）与CXMD32150NB（ESSOP6）核心引脚功能如下：

图1. CXMD32150NBI + CXMD32150NB 典型半桥应用电路
[ 电路原理图占位 ] 包含NBI高侧供电与输入、NB低侧供电与输入、自举电容、两颗芯片之间的VS连接、N端电流采样电阻。

4. 设计指导要点

• 自举电容选择：NB的VB与VS之间需外接自举电容，推荐0.1μF~1μF陶瓷电容。
• 死区时间设置：模块内置死区时间，MCU控制算法设置的外部死区时间应至少1μs。
• 电流采样：NB的N端引出低侧MOSFET源极，可外接采样电阻进行相电流检测。
• VCC供电：两颗芯片的VCC均推荐12V~18V供电，各VCC与GND之间就近放置1μF+0.1μF陶瓷电容组合。
• PCB布局优势：分离式封装允许高侧和低侧芯片灵活布局，优化功率回路面积和散热路径。高侧靠近母线电容，低侧靠近采样电阻。