The JTM4806 uses advanced trench technology and design to pr

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品

一,产品概述(General Description)

The JTM4806 uses advanced trench technology and design to provide
excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

二.产品特点(Features)

● VDS =20V,ID =7.5A
RDS(ON) <10mΩ @ VGS=10V (Typ:8.0mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability

三,应用范围 (Applications)

● Power switching application
● Load switching
● Uninterruptible power supply

四.技术规格书下载（产品PDF）

JTM4806

五,产品封装图 (Package)

六.电路原理图

七,功能概述

Parameter	Symbol	Limit	Unit
Drain-Source Voltage	VDS	20	V
Gate-Source Voltage	VGS	±12	V
Drain Current-Continuous	ID	7.5	A
Drain Current-Continuous(TC=100℃)	ID (100℃)	5.5	A
Pulsed Drain Current	IDM	20	A
Maximum Power Dissipation	PD	40	W
(Note 5) Single pulse avalanche energy	EAS	150	mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range	TJ,TSTG	-55 To 175	℃

八,相关芯片选择指南

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM2302/A	N沟道	20V	10V	0.75V	3A	10A	30mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM2302B	N沟道	20V	12V	0.85V	2.5A	10A	46mΩ	SOT23	量产

JTM2306/A	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	22A	25mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM2300/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM2312/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM2314/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM3400/B	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM3400C	N沟道	30V	20V	1.5V	3.6A	15A	40mΩ	SOT23	量产

JTM3406/B	N沟道	30V	20V	1.6V	5.8A	20A	25mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM3414/B	N沟道	20V	10V	0.75V	3.0A	10A	30mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM3416E	N沟道	20V	12V	0.7V	6.0A	30A	19mΩ	SOT23-3L	量产
	带ESD保护
JTM3420/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产
								SOT23-3L
JTM2318	N沟道	40V	20V	2.0V	4.0A	20A	32mΩ	SOT23-3L	量产
JTM6400	N沟道	30V	12V	0.9V	6.9A	30A	25mΩ	SOT23-6L	量产
JTM7002	N沟道	60V	20V	1.7V	0.115A	0.8A	1.3Ω	SOT23	量产
JTM2310	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产

JTM3422	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产


JTM2N10MR	N沟道	100V	20V	1.8V	2A	5A	210mΩ	SOT23-3L	量产
JTM2324E	N沟道	100V	20V	1V	2.7A	10A	140mΩ	SOT23-3L	量产
	带ESD保护
JTM4410	N沟道	30V	20V	1.6V	10A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产


JTM4412	N沟道	30V	20V	1.0V	7A	30A	22mΩ	SOP8	量产

JTM4430	N沟道	30V	20V	1.6V	18A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产

JTM4480	N沟道	40V	20V	2.0V	20A	50A	16mΩ	SOP8	量产

JTM4440	N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产
JTM4486E	N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产
	带ESD保护
JTM4488	N沟道	150V	20V	3.2V	5.2A	42A	31mΩ	SOP8	量产
JTM4490	N沟道	200V	20V	3.0V	3.9A	30A	56mΩ	SOP8	量产

双N沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4812	双N沟道	30V	20V	1.6V	7A	30A	25mΩ	SOP8	量产

JTM4822	双N沟道	30V	20V	1.8V	8A	30A	18mΩ	SOP8	量产

JTM4828	双N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产


JTM4886E	双N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产
	带ESD保护
JTM9926	双N沟道	20V	10V	0.9V	5A	24A	23mΩ	SOP8	量产

JTM8205	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	4A	16A	21mΩ	SOT-26	量产

JTM8205A	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	6A	25A	21mΩ	TSSOP8	量产

JTM8205B	双N沟道	20V	10V	0.65V	4A/6A	16A	24mΩ	SOT-26	量产

JTM8810E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	SOT-26	量产
	带ESD保护							TSSOP8
JTM8810B	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产
	带ESD保护
	不共D
JTM8820E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产
	带ESD保护
JTM8822E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产
	带ESD保护
JTM6800	双N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT-26	量产

(责任编辑：oumao18)