CXLE83181EN非隔离降压型有源PFC LED驱动芯片 | 高PF低THD 无VCC/COMP电容 支持开关调色 | 嘉泰姆电子

CXLE83181EN非隔离降压型有源PFC LED驱动芯片 | 高PF低THD 无VCC/COMP电容 支持开关调色 | 嘉泰姆电子

产品型号:CXLE83181EN
产品类型:照明驱动
产品系列: 非隔离降压型恒流高效高PFC
产品状态:量产
浏览次数:44 次
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产品简介

CXLE83181EN是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型LED驱动芯片,内置600V高压MOS管,专为通用电源设计。芯片工作在电感电流临界导通模式,实现高功率因数、低总谐波失真和高效率。创新的无VCC和COMP电容设计极大简化外部电路,特有的电流检测技术确保高精度输出恒流。支持Enable功能(通过ROVP引脚),兼容开关调色和感应灯应用,采用SOP7封装,适用于LED球泡灯、LED灯管等非隔离照明。

技术参数

输入电压范围 (VIN)85~265V
输出电压 (VOUT)-
输出电流 (IOUT)<240
工作频率1.4MHz
转换效率95%
封装类型SOP7
Dimming method--
功率管600V耐压MOS内阻2.7Ω
Power--
Pf value.95
Topology非隔离降压型恒流高效高PFC
Application照明驱动
Topology typeBUCK
Ripple<5%
Operating temp-40℃~85℃
ProtectionOVP/OCP/短路保护
CertificationUL/CE
开路保护External
内置CS电阻Y

产品详细介绍

CXLE83181EN 非隔离降压型有源PFC LED驱动芯片:高PF低THD、无VCC/COMP电容、支持开关调色和感应灯应用

嘉泰姆电子 CXLE83181EN 是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型LED驱动芯片,内置600V高压MOS管,专为通用电源设计。芯片工作在电感电流临界导通模式,实现高功率因数、低总谐波失真和高效率。创新的无VCC和COMP电容设计极大简化外部电路,特有的电流检测技术确保高精度输出恒流。支持Enable功能(通过ROVP引脚),兼容开关调色和感应灯应用,采用SOP7封装,适用于LED球泡灯、LED灯管等非隔离照明。

产品概述:高集成度有源PFC非隔离降压驱动新标杆

CXLE83181EN 是嘉泰姆电子(JTM)推出的一款高性能有源功率因数校正(PFC)非隔离降压型LED驱动芯片,内部集成600V高压功率MOS管。芯片工作在电感电流临界导通模式(BCM),通过有源PFC控制实现高功率因数(PF>0.9)和低总谐波失真(THD<20%),同时保持高效率。与传统的PFC驱动方案不同,CXLE83181XN去除了VCC电容和COMP补偿电容,显著简化了外部电路,降低了BOM成本。

芯片采用特有的电流检测技术,通过外部一个采样电阻即可精确设定LED输出电流,具有良好的线性调整率和负载调整率。CXLE83181XN还提供了Enable功能:通过ROVP引脚电压控制芯片的开启和关断,非常适合于开关调色、感应灯等智能照明应用。内置多重保护功能:LED短路保护、LED开路保护(可外部电阻设置OVP点)、逐周期电流限流、过热调节等,确保系统高可靠性。采用SOP7封装,适用于LED球泡灯、LED灯管及其他非隔离恒流驱动应用。

核心特点与技术优势

  • 有源功率因数校正:高PF值(>0.9),低THD(<20%),满足照明谐波标准。
  • 无VCC和COMP电容:芯片内部集成供电和补偿,外部电路极简,BOM成本低。
  • 内置600V高压MOS管:集成600V功率管,满足宽输入电压范围(85V~265V)。
  • 电感电流临界导通模式(BCM):降低开关损耗,优化EMI,提高转换效率。
  • 高精度恒流:内部基准电压300mV(典型),外置采样电阻设定LED电流。
  • Enable功能:通过ROVP引脚电压控制芯片开关,兼容开关调色和感应灯应用(ROVP>0.3V开启,<0.1V关断)。
  • 可编程输出开路保护(OVP):通过ROVP外接电阻设置开路保护电压,灵活适配不同输出规格。
  • 过热调节功能:芯片结温超过140°C时自动降低输出电流,提高系统可靠性。
  • 完善的保护功能:LED短路保护、逐周期电流限流、内置前沿消隐等。
  • SOP7封装:贴片封装,适合自动化生产,节省PCB空间。

典型应用电路

CXLE83181EN 典型应用电路原理图
图1:CXLE83181EN 典型应用电路原理图
(非隔离降压拓扑,有源PFC,外置采样电阻Rcs,ROVP电阻设置OVP,HV接母线电压,DRAIN接电感)

引脚封装与管脚功能

CXLE83181EN SOP7 封装外形及管脚分布图
图2:CXLE83181EN SOP7 封装外形及管脚分布图
(具体机械尺寸参见数据手册封装章节)

管脚功能描述 (SOP7)

管脚号 名称 功能描述
1 GND 芯片地,信号地与功率地单点连接
2 ROVP OVP设置引脚,外接电阻到GND,同时具备Enable功能:电压>0.3V开启,<0.1V关断;悬空时无OVP
3 NC 无连接,悬空
4 HV 芯片高压供电端,接母线电压,内部JFET供电
5,6 DRAIN 内置高压功率管漏极,接功率电感
7 CS 电流采样端,采样电阻接在CS与GND之间,用于设定峰值电流

极限参数与电气特性 (TA=25°C)

绝对最大额定值

符号 参数 范围 单位
DRAIN 内部高压功率管漏极到源极峰值电压 -0.3 ~ 600 V
HV 芯片高压供电接口 -0.3 ~ 650 V
ROVP, CS 低压引脚电压 -0.3 ~ 6 V
PDMAX 最大功耗 (SOP7) 0.45 W
θJA 结到环境的热阻 145 °C/W
TJ 工作结温范围 -40 ~ 150 °C
TSTG 储存温度范围 -55 ~ 150 °C

电气参数 (典型值,无特别说明HV=100V, TA=25°C)

符号 参数描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
ICC 工作电流   - 0.4 0.6 mA
TON_MAX 最大导通时间   - 6.0 6.6 μs
TOFF_MAX 最大关断时间   - - 200 μs
VREF 内部基准电压   291 300 309 mV
VCS_LIMIT CS峰值电压限制   - 1.8 - V
TLEB_CS 前沿消隐时间   - 300 - ns
IOVP OVP引脚输出电流   - 100 - μA
VEN_ON Enable开启阈值 ROVP上升 - 0.3 - V
VEN_OFF Enable关断阈值 ROVP下降 0.1 0.2 0.3 V
RDS_ON 功率MOS导通电阻 VGS=10V, ID=0.4A - 4.1 - Ω
BVDSS 功率MOS击穿电压 VGS=0V, ID=250μA 600 - - V
TREG 过热调节温度 芯片表面温度 - 140 - °C

注:典型值在25°C下测试,参数由设计保证。CXLE83181EN 无VCC/COMP电容,外置采样电阻设定电流,支持Enable开关控制。

有源PFC降压工作原理与恒流设定

CXLE83181XN采用有源功率因数校正技术,工作在电感电流临界导通模式(BCM),实现高PF、低THD和高效率。

启动与供电:系统上电后,母线电压通过HV引脚给内部电源供电,无需外部VCC电容。当内部电源达到开启阈值后,芯片以预设导通时间开始输出PWM信号控制功率管开通,电感电流线性上升,实现输出电流软启动,减小开机应力。

恒流控制:芯片逐周期采样CS引脚上的电压(反映电感峰值电流),与内部基准VREF=300mV比较,通过闭环控制调整导通时间,实现高精度恒流输出。由于工作在临界导通模式,电感电流在每个开关周期都从零开始上升,因此输出电流即为峰值电流的一半乘以占空比相关因子,在BCM下,输出LED电流简化计算公式为:

ILED = VREF / RCS

其中RCS为外接电流采样电阻。例如,若需要300mA LED电流,则RCS=0.3V/0.3A=1Ω。由于内部基准精度±3%,可保证高精度恒流。

临界导通模式优势:BCM模式实现了功率管的零电流导通(ZCS)和准零电压导通,降低了开关损耗,提高了效率;同时开关频率随输入电压变化,分散了谐波能量,改善了EMI性能。

关键技术深度解析

1. 无VCC/COMP电容的简化设计

传统PFC驱动芯片通常需要外部VCC电容提供稳定电源,以及COMP电容进行环路补偿。CXLE83181XN内部集成了高压JFET供电电路和优化的控制算法,无需外部VCC电容和COMP电容即可稳定工作。这不仅减少了BOM元件数量,降低了成本,还提高了系统可靠性,尤其适合对体积有严格要求的紧凑型LED球泡灯和灯管。

2. Enable功能与开关调色应用

ROVP引脚兼具输出过压保护和Enable功能。当ROVP引脚电压高于0.3V时,芯片正常工作;当ROVP电压低于0.1V时,芯片进入Disable保护状态,关断输出。这一特性非常适合智能照明中的开关调色和感应灯应用:通过一个简单的开关或传感器控制ROVP引脚电压(例如通过分压电阻或MOS管拉低),即可实现灯具的开关、色温切换或人体感应控制,无需额外的MCU或复杂电路。

注意:ROVP外接电阻ROVP会从芯片内部流出约100μA电流,因此ROVP会产生一个直流电压。为保证Enable功能正常工作,ROVP应大于3kΩ(确保电压>0.3V),同时可利用此电压作为开启信号。若无需OVP和Enable功能,ROVP引脚悬空即可。

3. 输出开路保护(OVP)设置

当LED开路时,输出电压会持续上升,导致退磁时间变短。芯片内部通过检测退磁时间并结合ROVP外接电阻来计算输出过压保护阈值。OVP电压计算公式近似为:

VOVP ≈ (15 × L × ROVP) / RCS

其中L为功率电感感量(mH),ROVP为ROVP引脚对地电阻(kΩ),RCS为采样电阻(Ω)。通过合理选择ROVP,可以精确设定开路保护电压,防止输出电压过高损坏LED或输出电容。若不需要OVP功能,ROVP引脚悬空即可。

4. 过热调节与保护功能

  • 过热调节:当芯片结温达到140°C时,输出电流开始线性下降,抑制温升,保护芯片和电源系统。温度恢复后自动恢复输出电流。
  • 逐周期限流:每个周期检测CS电压,当CS电压超过1.8V时,立即关断功率管,防止电感饱和或输出短路导致过流。
  • LED短路保护:当输出短路时,芯片工作频率降低至5kHz以下,限制输出功率,保护功率管和续流二极管。

5. 设计实例与电感选择

以18W LED灯管驱动为例:输入电压220V AC,输出60V/300mA。选择RCS=0.3V/0.3A=1Ω。电感设计:根据BCM工作条件,电感量L = (Vin_peak - Vout) × TON / ΔI,实际设计时需确保最大导通时间不超过TON_MAX(6μs),最低频率不低于20kHz。建议采用PQ或EE型磁芯,电感量典型值1mH~2mH。ROVP电阻选择:若设定OVP为80V,根据公式ROVP ≈ (VOVP × RCS) / (15 × L),代入L=1.5mH,RCS=1Ω,得ROVP≈ (80×1)/(15×1.5)=3.56kΩ。同时需确保ROVP电压>0.3V(100μA×3.56kΩ=0.356V,满足)。

PCB Layout指南

  • 地线走线:电流采样电阻的功率地线尽可能短而粗,直接连接到芯片GND引脚,信号地单独连接到GND,实现单点接地。
  • 功率环路面积:尽可能减小大电流环路(如母线电容→电感→功率管→CS电阻→GND→母线电容负极)的面积,以减少EMI辐射。
  • DRAIN引脚:DRAIN引脚是高压开关节点,铺铜面积不宜过大,否则会耦合噪声恶化EMI。适当加大铺铜有助于散热,但需平衡EMI。
  • CS引脚:CS引脚为电流采样端,尽可能加大CSPin铺铜有助于散热,但采样电阻到CS引脚的走线应短且远离高压节点。
  • ROVP引脚:ROVP电阻应靠近芯片放置,引线要短,避免噪声耦合导致误触发Enable或OVP。
  • 散热设计:SOP7封装散热能力有限,建议在芯片下方铺设铜皮辅助散热,对于功率超过10W的应用,考虑增加散热面积或使用铝基板。

订购信息与封装

产品型号 封装 工作环境范围 包装方式 打印标识
CXLE83181XN SOP7 -40°C ~ 105°C 卷盘 4000颗/盘 CXLE83181 + 批次码

芯片符合RoHS、REACH及无卤素标准,工作结温范围-40℃~150℃,存储温度-55℃~150℃。建议回流焊温度遵循IPC/JEDEC J-STD-020标准。

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