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电容受到高压瞬态冲击，某些陶瓷电容将产生自振。例如当连接充电器至一个波动电源上时，即可发生 上述情况。串一个 1.5Ω电阻在电容上能大大减小启动时的冲击电压。 耗散功率： 通过热反馈减小充电电流的条件可以近似地估算芯片的耗散功率。几乎所有的功率损耗均是由内部 MOSFET 产生的，有如下近似计算公式： PD = (VCC - VBAT )I BAT 热保护时芯片周围温度为： TA = 120°C - PDq JA = 120°C - (VCC - VBAT )I BATq JA 散热考虑： 因为此芯片是小尺寸 SOT-23-5L 封装，通过 PCB 布局来散热对充电电流最大化是非常重要的。散 热路径为芯片晶片到引脚，再至焊盘，然后到 PCB 铜皮。PCB 板作为散热器其上的焊盘应尽量宽，并 相应地加大铜皮以将热量扩散至空气。进行 PCB 布局设计时，PCB 上其他发热元件也必须予以考虑， 尽量避免和充电器靠近，否则整体温度的上升也会影响充电器的充电电流。 (责任编辑：oumao18) |
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