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The JTM8810A uses advanced trench technology to provide exc

时间:2016-02-25 09:45来源:未知 作者:oumao18 点击:
目录 1. 产品概述 2. 产品特点 3. 应用范围 4. 技术规格书下载(产品PDF文档 ) 5. 产品封装图 6. 电路原理图 7. 功能概述 8 . 相关产品 一 , 产品概述( General Description) The JTM8810A uses advanced trench te
目录

,产品概述(General Description)      

        The JTM8810A  uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as
low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or
in other Switching applications.



.产品特点(Features)

● VDS = 20V,ID =7A
   RDS(ON) < 22mΩ @ VGS =4.5V
   RDS(ON) <28mΩ @ VGS =2.5V
● High Power and current handing capability
● Lead free product is acquired
●  Surface Mount Package


,应用范围 (Applications)


●Battery protection
● Load switch
● Power management


四.技术规格书下载(产品PDF)


JTM8810A
五,产品封装图 (Package)



六.电路原理图



,功能概述


Symbol Parameter Value Unit
VDS Drain-Source Voltage (VGS=0V) 20 V
VGS Gate-Source Voltage (VDS=0V) ±1 V
ID Drain Current-Continuous 7 A
IDM (pluse) (Note 1)
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed
25 A
PD Maximum Power Dissipation   W
TJ,TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 To 150
八,相关芯片选择指南
型号  沟道  VDS  VGS  VTH ID  IDM RDS(on) 封装   状态
(Max) (Max)  (Max)
 JTM2302/A  N沟道  20V  10V 0.75V  3A  10A 30mΩ  SOT23 量产
SOT23-3L
JTM2302B N沟道 20V 12V 0.85V 2.5A 10A 46mΩ SOT23 量产
JTM2306/A N沟道 30V 12V 0.9V 5.8A 22A 25mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM2300/B N沟道 20V 12V 0.65V 4.5A 13.5A 22mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM2312/B N沟道 20V 12V 0.65V 4.5A 13.5A 22mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM2314/B N沟道 20V 12V 0.65V 4.5A 13.5A 22mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM3400/B N沟道 30V 12V 0.9V 5.8A 30A 25mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM3400C N沟道 30V 20V 1.5V 3.6A 15A 40mΩ SOT23 量产
JTM3406/B N沟道 30V 20V 1.6V 5.8A 20A 25mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM3414/B N沟道 20V 10V 0.75V 3.0A 10A 30mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM3416E N沟道 20V 12V 0.7V 6.0A 30A 19mΩ SOT23-3L 量产
带ESD保护
JTM3420/B N沟道 20V 12V 0.65V 4.5A 13.5A 22mΩ SOT23 量产
SOT23-3L
JTM2318 N沟道 40V 20V 2.0V 4.0A 20A 32mΩ SOT23-3L 量产
JTM6400 N沟道 30V 12V 0.9V 6.9A 30A 25mΩ SOT23-6L 量产
JTM7002 N沟道 60V 20V 1.7V 0.115A 0.8A 1.3Ω SOT23 量产
JTM2310 N沟道 60V 20V 1.4V 3A 10A 105mΩ SOT23-3L 量产
JTM3422 N沟道 60V 20V 1.4V 3A 10A 105mΩ SOT23-3L 量产
JTM2N10MR N沟道 100V 20V 1.8V 2A 5A 210mΩ SOT23-3L 量产
JTM2324E N沟道 100V 20V 1V 2.7A 10A 140mΩ SOT23-3L 量产
带ESD保护
JTM4410 N沟道 30V 20V 1.6V 10A 50A 7.5mΩ SOP8 量产
JTM4412 N沟道 30V 20V 1.0V 7A 30A 22mΩ SOP8 量产
JTM4430 N沟道 30V 20V 1.6V 18A 50A 7.5mΩ SOP8 量产
JTM4480 N沟道 40V 20V 2.0V 20A 50A 16mΩ SOP8 量产
JTM4440 N沟道 60V 20V 2V 4.5A 20A 45mΩ SOP8 量产
JTM4486E N沟道 100V 20V 2V 3.5A 20A 85mΩ SOP8 量产
带ESD保护
JTM4488 N沟道 150V 20V 3.2V 5.2A 42A 31mΩ SOP8 量产
JTM4490 N沟道 200V 20V 3.0V 3.9A 30A 56mΩ SOP8 量产
                   
双N沟道低压MOS场效应管              
                   
型号  沟道  VDS  VGS  VTH ID  IDM  RDS(on) 封装   状态
(Max) (Max)  (Max)
 JTM4812 双N沟道  30V  20V  1.6V  7A  30A  25mΩ  SOP8  量产
JTM4822 双N沟道 30V 20V 1.8V 8A 30A 18mΩ SOP8 量产
JTM4828 双N沟道 60V 20V 2V 4.5A 20A 45mΩ SOP8 量产
JTM4886E 双N沟道 100V 20V 2V 3.5A 20A 85mΩ SOP8 量产
带ESD保护
JTM9926  双N沟道 20V 10V 0.9V 5A 24A 23mΩ SOP8 量产
JTM8205 双N沟道 19.5V 10V 0.7V 4A 16A 21mΩ SOT-26 量产
JTM8205A 双N沟道 19.5V 10V 0.7V 6A 25A 21mΩ TSSOP8 量产
JTM8205B 双N沟道 20V 10V 0.65V 4A/6A 16A 24mΩ SOT-26 量产
JTM8810E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ SOT-26 量产
带ESD保护 TSSOP8
JTM8810B 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产
带ESD保护
不共D
JTM8820E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产
带ESD保护
JTM8822E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产
带ESD保护
JTM6800 双N沟道 30V 12V 0.9V 5.8A 30A 25mΩ SOT-26 量产

(责任编辑:oumao18)
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