JTM2117是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻(2)

六.电路原理图

七,功能概述

符号	参数名称	测试条件	最小	最大	单位
输出端	OUTD	-	-0.3	35	V
输出端	OUTS	-	-0.3	35	V
电源	VCC	-	-0.3	35	V
逻辑信号输入高电平	IN	-	-0.3	35	V
逻辑信号输入低电平	IN	-	-0.3	35	V
SD 控制端	SD	-	-0.3	7	V
TA	环境温度	-	-45	85	℃
Tstr	储存温度	-	-65	125	℃
TL	焊接温度	T=10S	-	300	℃

八,相关产品

高压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)	(MAX)	(Max)
JTM1N60	N沟道	600V	30V	4V	1.3A	5A	8.5Ω	TO-92/TO-251/	量产	FQP1N60/FQN1N60/
								TO-252		UTC1N60/STP1N60
JTM2N60	N沟道	600V	30V	4V	2A	6A	4.5Ω	TO-251/TO-252/	量产	FQP2N60/FQN2N60/
								TO-220/TO-220F		UTC2N60/STP2N60/2SK3067
JTM4N60	N沟道	600V	30V	4V	4A	16A	2.4Ω	TO-251/TO-252/	量产	FQP4N60/FQN4N60/
								TO-220/TO-220F		UTC4N60/STP4N60
JTM5N60	N沟道	600V	30V	4V	5A	20A	2.0Ω	TO-251/TO-252/	量产	FQP5N60/FQN5N60/
								TO-220/TO-220F		UTC5N60/STP5N60
JTM7N60	N沟道	600V	30V	4V	7A	28A	1.2Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP7N60/FQN7N60/
										UTC7N60/STP7N60
JTM8N60	N沟道	600V	30V	4V	8A	32A	1.0Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP8N60/FQN8N60/
										UTC8N60/STP8N60
JTM10N60	N沟道	600V	30V	4.5V	9.5A	40A	0.75Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP10N60/FQN10N60/
										UTC10N60/STP10N60
JTM12N60	N沟道	600V	30V	5V	12A	48A	0.65Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP12N60/FQN12N60/
										UTC12N60/STP12N60
JTM20N60/F/A	N沟道	600V	30V	4V	20A	80A	0.36Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP20N60/FQN20N60/
								TO-3P		UTC20N60/STP20N60
JTM4N65	N沟道	650V	30V	4V	4A	16A	3Ω	TO-220/	量产	FQP4N65/FQN4N65/
								TO-220F/TO-252		UTC4N65/STP4N65
JTM5N65	N沟道	650V	30V	4V	5A	20A	3Ω	TO-220/	量产	FQP5N65/FQN5N65/
								TO-220F/TO-252		UTC5N65/STP5N65
JTM7N65	N沟道	650V	30V	4V	7A	28A	1.26Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP7N65/FQN7N65/
										UTC7N65/STP7N65
JTM8N65	N沟道	650V	30V	4V	8A	32A	1.26Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP8N65/FQN8N65/
										UTC8N65/STP8N65
JTM10N65	N沟道	650V	30V	4V	10A	40A	0.85Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP10N65/FQN10N65/
										UTC10N65/STP10N65
JTM12N65	N沟道	650V	30V	4V	12A	48A	0.75Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP12N65/FQN12N65/
										UTC12N65/STP12N65
JTM13N50	N沟道	500V	30V	4V	13A	52A	0.48Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP13N50/FQN13N50/
										UTC13N50/STP13N50
JTM20N50F/A	N沟道	500V	30V	4V	20A	80A	0.26Ω	TO-220F/TO-3P	量产	FQP20N50/FQN20N50/
										UTC20N50/STP20N50
JTM2N70L/K	N沟道	700V	30V	4V	2A	8A	5.5Ω	TO-251S/TO-252	量产	FQP2N70/FQN2N70
										UTC2N70/STP2N70
JTM3N70L	N沟道	700V	30V	4V	3A	12A	3Ω	TO-251S	量产	FQP2N70/FQN2N70
										UTC2N70/STP2N70
JTM6N70	N沟道	700V	30V	4V	6A	24A	1.8Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP6N70/FQA6N70/FQB6N70
								TO-251/TO-252		SVF6N70/IXTH6N70/UTC6N70
JTM9N70	N沟道	700V	30V	4V	9A	36A	1.2Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP9N70/FQA9N70/FQB9N70
								TO-251		SVF9N70/WFW9N70/UTC9N70
JTM3N80	N沟道	800V	30V	5V	3A	12A	4.0Ω	TO-220	量产	FQP3N80/FQN3N80/
										UTC3N80/STP3N80
JTM7N80	N沟道	800V	30V	5V	7A	28A	1.9Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP7N80/FQN7N80/
										UTC7N80/STP7N80
JTM10N80F/A	N沟道	800V	30V	5V	10A	40A	1.0Ω	TO220F/TO-3P	量产	FQP10N80/FQA10N80/
										UTC10N80/STP10N80
JTM3N90I	N沟道	900V	30V	3V	3A	12A	5Ω	TO-251	量产	FQP3N90/FQA3N90/
										UTC3N90/STP3N90
JTM5N90	N沟道	900V	30V	4V	5A	20A	2.1Ω	TO-220/TO-220F	量产	FQP5N90/FQN5N90
										/UTC5N90/STP5N90
JTM9N90A	N沟道	900V	30V	4V	9A	36A	1.4Ω	TO-3P	量产	FQP9N90/FQN9N90/
										UTC9N90/STP9N90
JTM830	N沟道	500V	30V	4V	4.5A	18A	1.5Ω	TO-220	量产	IRF830
JTM840	N沟道	500V	30V	4V	8A	32A	0.8Ω	TO-220	量产	IRF840
JTM3N40R	N沟道	400V	30V	3V	3A	9A	2.8Ω	SOT-223	量产	FQP3N40/STP3N40/UTC3N40
										PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
JTM730	N沟道	400V	30V	4V	5.5A	22A	1Ω	TO-220	量产	IRF730
JTM740	N沟道	400V	30V	4V	10A	40A	0.54Ω	TO-220	量产	IRF740
JTM3N25I/K	N沟道	250V	20V	3V	3A	12A	1Ω	TO-251/TO-252	量产	FQP3N25/STP3N25/UTC3N25
										PFB3N25/FTP3N25/WFP3N25
JTM630	N沟道	200V	30V	4V	9A	36A	0.4Ω	TO-220	量产	IRF630
JTM640	N沟道	200V	30V	4V	9A	36A	0.4Ω	TO-220	量产	IRF640

耗尽型MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)	(Max)	(Max)
JTM5001	N沟道	600V	20V	1.8V	30mA	120mA	350Ω	SOT-23	量放	DMZ6005
	耗尽型

备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的高压MOS产品（JTM1N60/2N60/4N60/5N60/7N60/8N60/10N60/12N60/20N60/4N65/5N65/7N65/8N65/10N65/
12N65/13N50/20N50/6N70/9N70/7N80/10N80/9N90/530/630/640/730/740/830/840)有以下优点：
1.均采用先进的8寸晶圆设计,韩国投片生产，品质和韩国进口品牌可以媲美的。

(责任编辑：oumao18)