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P 沟道增强型场效应管 JTML2307 JTML2307B(2)

时间:2015-11-12 12:34来源:未知 作者:oumao18 点击:
七 , 功能 概述 参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位 静态特性 漏源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V, ID=-250A -20 V 栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250A -0.35 -1 V 栅-衬漏
,功能概述
参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位
       
静态特性
漏源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V, ID=-250µA -20     V
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA -0.35   -1 V
栅-衬漏电流 IGSS VDS =0V, VGS=±12V     ±100 nA
零栅压漏电流 IDSS VDS=-20V, VGS=0V     -1 µA
VDS=-20V, VGS=0V     -5
通态漏电流            
ID(ON) VDS≤-4.5V,VGS=-5V -0.7     A  
漏源通态电阻 RDS(ON) VGS=-4.5V, ID=-0.45A   0.23 0.3 Ω
VGS=-2.5V, ID=-0.35A   0.37 0.45
VGS=-1.8V, ID=-0.25A      
  0.51 0.58        
正向跨导            
gfs VDS=-10V, ID=-0.25A   1   S  
漏源二极管正向电压 VSD VGS=0V,Is=-0.15A   -0.8 -1.2 V
动态特性
栅极总电荷 Qg VDS=-10V,ID=-0.6A   1.5 2 nC
栅源电荷 Qgs VGS=-4.5V   0.3  
栅漏电荷          
Qgd   0.35        
开通延迟时间            
td (ON) VDD=-10V   5 10 ns  
VGEN=-4.5V  
上升时间 ID=-0.4A tr   15 25
关断延迟时间 RL=10Ω        
td (OFF) RG=6Ω   8 15  
下降时间            
tf   1.4 1.8      
八,相关产品
产品名称 Vdss(V) Vgss(V) Id(A) Idm(A) Is(A) 封装形式
JTML2311 -30 ±20 -4.4 -30 -1 SOT-23-3
JTML2307B -20 ±12 -1.1 -2.4 -0.26 SOT-523
JTML2307 -20 ±12 -0.8 -2.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2305 -20 ±12 -0.8 -1.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2301 -20 ±12 -3.6 -11 -1.25 SOT-23-3
JTML2308B 20 ±12 0.65 2.5 0.3 SOT-523
JTML2308 20 ±12 0.65 1 0.3 SOT-23-3
JTML2306 20 ±12 1.3 2 0.6 SOT-23-3
JTML2302 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3
JTML2300 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3

(责任编辑:oumao18)
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