1.产品概述 2.产品特点
3.应用范围 4.产品封装图
5.电路原理图 6.产品PCB
7.产品BOM 8.产品PDF文档
9.功能概述
一,产品概述(General Description)
该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路,适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。该电路具备较宽的工作电压范围(从 2V 到 9.6V), 最大持续输出电流达到 1.8A,最大峰值输出电流达到 3.5A。
该驱动电路内置过热保护电路。通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时,受封装散热能力限制,
该驱动电路内置过热保护电路。通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时,受封装散热能力限制,
电路内部芯片的结温将会迅速升高,一旦超过设定值(典型值 150℃), 内部电路将立即关断输出功率管,切断负载电流,避免温度持续升高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才允许重新对电路进行控制。
二.产品特点(Features)
1.低待机电流 (小于 0.1uA);
2.低静态工作电流;
3.集成的 H 桥驱动电路;
4.内置防共态导通电路;
5.低导通内阻的功率 MOSFET 管;
6.内置带迟滞效应的过热保护电路2.低静态工作电流;
3.集成的 H 桥驱动电路;
4.内置防共态导通电路;
5.低导通内阻的功率 MOSFET 管;
7.抗静电等级:3KV (HBM)。
三,应用范围 (Applications)
1.2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动;
2.2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动;
3.1-2 节锂电池供电的马达驱动
四,产品封装图 (Package)

五,电路原理图

特别注意事项:
图 1 中的功率电源 VDD 对地去耦电容(C1)容值应根据具体的应用调整,VDD 电压越高,输出峰值电流越大,
C1 取值越大,但是电容 C1 的取值至少需要 4.7uF。在高压、大电流的应用条件下建议电容 C1 取值 100uF。
逻辑电源 VCC 对地电容 C2 必须至少需要 4.7uF,实际应用时不需要靠近芯片单独添加一个电容,可以与其
它控制芯片(RX2、MCU)等共用。如果 VCC 对地没有任何电容,当电路因过载进入过热保护模式后,电路可能会
进入锁定状态。进入锁定状态后,必须重新改变一次输入信号的状态,电路才能恢复正常。只要 VCC 对地有超过
4.7uF 电容,电路就不会出现锁定状态。
图 1 中驱动电路 OUTA 与 OUTB 之间的 0.1uF 电容(C3)是表示接在马达两端的电容,不需要单独添加。
六, 产品PCB
(略)
七.产品BOM
(略)
八.产品PDF文档
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JTM2518 |
九,功能概述
1.绝对最大额定值
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
最大逻辑控制电源电压 | VCC(MAX) | 7 | V |
最大功率电源电压 | VDD(MAX) | 10 | V |
最大外加输出端电压 | VOUT(MAX) | VDD | V |
最大外加输入端电压 | VIN(MAX) | VCC | V |
最大峰值输出电流 | IOUT(MAX) | 3.5 | A |
最大功耗 | PD | 1.25 | W |
结到环境热阻(DIP-8) | θJAD | 100 | ℃/W |
工作温度范围 | Topr | -20 ~ +85 | ℃ |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
焊接温度 | TLED | 260℃(10s) |
推荐工作条件
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
逻辑和控制电源电压 | VCC | 1.8 | -- | 5 | V |
功率电源电压 | VDD | 2 | -- | 9.6 | V |
持续输出电流 | IOUT | -- | 1.8 | -- | A |
电特性参数表
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
电源参数 | ||||||
VCC 待机电流 | IVCH |
INA=INB=L;VCC=7V VDD=10V;输出悬空 |
-- | 0 | 10 | uA |
VDD 待机电流 | IVDDST | -- | 0 | 10 | ||
VCC 静态电源电流 | ||||||
IVCC | INA=H or INB=H;输出悬空 | -- | 182 | -- | uA | |
VDD 静态电源电流 | IVDD | INA=H or INB=H;输出悬空 | -- | 83 | -- | |
输入逻辑电平 | ||||||
输入高电平 | VINH | 2 | -- | -- | V | |
输入低电平 | VINL | -- | -- | 0.8 | ||
输入电平迟滞 | ||||||
VHYS | -- | 0.6 | -- | |||
输入高电平电流 | ||||||
IINH | VINH=2.5V,VCC=3V | -- | 191 | -- | uA | |
输入下拉电阻 | RIN | VINH=3V,VCC=3V | -- | 12 | -- | KΩ |
功率管导通内阻 | ||||||
导通电阻 | RON | IO=±200mA,VDD=6V,TA=25℃ | -- | 0.28 | -- | Ω |
IO=±1800mA,VDD=6.5V,TA=25℃ | -- | 0.38 | -- | |||
保护功能参数 | ||||||
热关断温度点 | TSD | -- | 150 | -- | ℃ | |
热关断温度迟滞 | TSDH | -- | 20 | -- | ||
功率 MOSFET 体二极管导通特性 | ||||||
PMOS 体二极管 | VPD | I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V | -- | 0.69 | -- | V |