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P 沟道增强型场效应管 JTML2311 JTML2305 JTML2307(2)

时间:2015-11-12 13:29来源:未知 作者:oumao18 点击:
七 , 功能 概述 参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位 关态特性 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=-250A -30 V 零栅压漏 电流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V -1 A 栅-衬漏电流 IGSS
,功能概述
参数 符号 条件 最小 典型 最大 单位
关态特性
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=-250µA -30     V
零栅压漏电流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V     -1 µA
栅-衬漏电流 IGSS VDS=0V, VGS=±20V     ±100 nA
开态特性
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA -0.7 -1 -1.5 V
漏源通态电阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-4.2A   45 52
VGS=-4.5V, ID=-4A   58 65
正向跨导            
gfs VGS=-5V, ID=-5A   10   S  
动态参数
输入电容 CISS VDS=-15V ,VGS=0V   950   pF
输出电容 COSS f=1.0MHz   115  
反向传输电容          
CRSS   75        
开关特性
开通延迟时间 tD(ON) VDD=-15V   7   ns
上升时间 tr ID=-3.2A   3  
关断延迟时间   VGEN=-10V      
tD(OFF)   RGEN=6ohm 30    
下降时间            
tf   12        
栅极总电荷            
Qg VDS=-15V,ID=-4A   9.5   nC  
栅源电荷 VGS=-4.5V Qgs   2  
栅漏电荷          
Qgd   3        
漏源二极管特征参数
漏源二极管正向电压 VSD VGS=0V,Is=-1 A   -0.81 -1.2 V
八,相关产品
产品名称 Vdss(V) Vgss(V) Id(A) Idm(A) Is(A) 封装形式
JTML2311 -30 ±20 -4.4 -30 -1 SOT-23-3
JTML2307B -20 ±12 -1.1 -2.4 -0.26 SOT-523
JTML2307 -20 ±12 -0.8 -2.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2305 -20 ±12 -0.8 -1.8 -0.58 SOT-23-3
JTML2301 -20 ±12 -3.6 -11 -1.25 SOT-23-3
JTML2308B 20 ±12 0.65 2.5 0.3 SOT-523
JTML2308 20 ±12 0.65 1 0.3 SOT-23-3
JTML2306 20 ±12 1.3 2 0.6 SOT-23-3
JTML2302 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3
JTML2300 20 ±8 3.6 12 1.25 SOT-23-3

(责任编辑:oumao18)
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