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The JTM3N10PR uses advanced trench technology and design to

时间:2015-08-25 12:46来源:未知 作者:oumao18 点击: 次
目录 1. 产品概述 2. 产品特点 3. 应用范围 4. 产品封装图 5. 电路原理图 6. 产品PDF文档 7. 功能概述 8 . 相关产品 一 , 产品概述( General Description) The JTM3N10PR uses advanced trench technology and desi
目录
1.产品概述                       2.产品特点
3.应用范围                       4.产品封装图
5.电路原理图                    6.产品PDF文档 
7.功能概述                        8.相关产品

一,产品概述(General Description)         
      The JTM3N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

二.产品特点(Features)
● VDS = 100V,ID = 3A
        RDS(ON) <240mΩ @ VGS=10V (Typ:210mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
● Excellent package for good heat dissipation

三,应用范围 (Applications)
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply

四,产品封装图 (Package)

五,电路原理图



六.产品PDF文档 

JTM3N10PR

七,功能概述

Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 100 V
Gate-Source Voltage VGS ±20 V
Drain Current-Continuous ID 3 A
(Note 1)
Drain Current-Pulsed		 IDM 8 A
Maximum Power Dissipation PD 1.25 W
Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 150 ℃
(责任编辑：oumao18)
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