The JTM3416 are high-efficiency, high frequency synchronous(2)

六.电路原理图

七,功能概述
FUNCTIONAL DESCRIPTION
JTM3416 is a synchronous buck regulator IC that integrates the PWM/PFM control, top
and bottom switches on the same die to minimize the switching transition loss and
conduction loss. With ultra low RDS(ON) power switches and proprietary PWM control,
this regulator IC can achieve the highest efficiency and the highest switch frequency
simultaneously to minimize the external inductor and capacitor size, and thus
achieving the minimum solution footprint.The JTM3416 requires only three external
power components (Cin, Cout and L). Theadjustable version can be programmed
with external feedback to any voltage,ranging from 0.6V to the input voltage.
At dropout, the converter duty cycle increases to 100% and the output voltage
tracks the input voltage minus the Rdson drop of the high-side MOSFET.
The internal error amplifier and compensation provides excellent transient response, load,
and line regulation. Soft start function prevents input inrush current and output
overshoot during start up.
Inductor Selection
For most designs, the JTM3416 operates with inductors of 1µH to 4.7µH. Low inductance
values are physically smaller but require faster switching, which results in some efficiency loss.
The inductor value can be derived from the following equation:
L =VIN × ∆I L × f OSC

Where ∆I L is inductor Ripple Current. Large value inductors result in lower ripple current and
small value inductors result in high ripple current. For optimum voltage-positioning load
transients, choose an inductor with DC series resistance in the 50mΩ to 150mΩ range.
Input Capacitor Selection
With the maximum load current at 1.5A, the maximum ripple current through input capacitor
is about 0.6Arms. A typical X7R or better grade ceramic capacitor with 6V rating and greater
than 10uF capacitance can handle this ripple current well. To minimize the potential noise
problem, place this ceramic capacitor really close to the IN and
GND pins. Care should be taken to minimizethe loop area formed by CIN, and IN/GND pins.

Output Capacitor Selection

The output capacitor is required to keep the output voltage ripple small and to ensure
regulation loop stability. The output capacitor must have low impedance at the switching
frequency. Ceramic capacitors with X5R or X7R dielectrics are recommended due to their low
ESR and high ripple current ratings. The outputripple VOUT is determined by:
VOUT × (V IN − VOUT )         1
V IN × f OSC × L       8 × f osc × C3
A 10µF ceramic can satisfy most applications.PC Board Layout Checklist When laying out the printed
circuit board, the following checking should be used to ensure proper operation of the JTM3416. Check the
following in your layout:
1. The power traces, consisting of the GND trace, the SW trace and the VIN traceshould be kept short,
    direct and wide.
2. Does the (+) plates of Cin connect to Vin as closely as possible? This capacitor provides the AC current
    to the internal power MOSFETs.
3. Keep the switching node, SW, away from the sensitive VOUT node.
4. Keep the (-) plates of Cin and Cout as close as possible

八,相关产品

单N沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM2302/A	N沟道	20V	10V	0.75V	3A	10A	30mΩ	SOT23	量产	Si2302/AP2302/XP151A
								SOT23-3L		APM2314/IRLML2502
JTM2302B	N沟道	20V	12V	0.85V	2.5A	10A	46mΩ	SOT23	量产	Si2302/AP2302/XP151A
										APM2314/IRLML2502
JTM2306/A	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	22A	25mΩ	SOT23	量产	AP2306/SI2306
								SOT23-3L		APM2306/WNM2306
JTM2300/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2312/SI2312
								SOT23-3L		SI2300/AP2300
JTM2312/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2312/SI2312
								SOT23-3L		SI2300/AP2300
JTM2314/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2314/SI2314
								SOT23-3L		SI2312/AP2312
JTM3400/B	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT23	量产	AO3400/AO3402/AP2306
								SOT23-3L		SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3400C	N沟道	30V	20V	1.5V	3.6A	15A	40mΩ	SOT23	量产	AO3400/AO3402/AO3406/AP2306
										SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3406/B	N沟道	30V	20V	1.6V	5.8A	20A	25mΩ	SOT23	量产	AO3406/AP2306
								SOT23-3L		SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3414/B	N沟道	20V	10V	0.75V	3.0A	10A	30mΩ	SOT23	量产	AO3414
								SOT23-3L
JTM3416E	N沟道	20V	12V	0.7V	6.0A	30A	19mΩ	SOT23-3L	量产	AO3416
	带ESD保护
JTM3420/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AO3420/SI2300
								SOT23-3L		SI2312/AP2300
JTM2318	N沟道	40V	20V	2.0V	4.0A	20A	32mΩ	SOT23-3L	量产	Si2318
JTM6400	N沟道	30V	12V	0.9V	6.9A	30A	25mΩ	SOT23-6L	量产	AO6400/SI3456/AP2602/AO6404
JTM7002	N沟道	60V	20V	1.7V	0.115A	0.8A	1.3Ω	SOT23	量产	2N7002/BSS138/FDV301N
JTM2310	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产	AP2310GN/APM2360A/AO3422
										IRFL014/UT3N06
JTM3422	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产	AO3422/AP2310GN/APM2360A
										CES2362/VN3205/VN2204
										IRFL014/UT3N06
JTM2N10MR	N沟道	100V	20V	1.8V	2A	5A	210mΩ	SOT23-3L	量产
JTM2324E	N沟道	100V	20V	1V	2.7A	10A	140mΩ	SOT23-3L	量产	Si2324/Si2328
	带ESD保护									Si2392/AO3442
JTM4410	N沟道	30V	20V	1.6V	10A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产	AO4410/AO4403/APM4410
										CEM4410/AP4410/FDS4410
										IRF7832/IRF7805Z
JTM4412	N沟道	30V	20V	1.0V	7A	30A	22mΩ	SOP8	量产	AO4412/APM4412/CEM4412
										AP4412/FDS4412/AO4414/ME4414
JTM4430	N沟道	30V	20V	1.6V	18A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产	AO4430/APM4430/CEM4430
										AP4430/FDS4430/SI4166
JTM4480	N沟道	40V	20V	2.0V	20A	50A	16mΩ	SOP8	量产	AO4480/AO4240/IRF7842
										Si4840BDY/Si4124DY
JTM4440	N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产	AO4440/AP9971/STS5NF60L
JTM4486E	N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产	AO4486
	带ESD保护
JTM4488	N沟道	150V	20V	3.2V	5.2A	42A	31mΩ	SOP8	量产	AO4488
JTM4490	N沟道	200V	20V	3.0V	3.9A	30A	56mΩ	SOP8	量产	AO4490

双N沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4812	双N沟道	30V	20V	1.6V	7A	30A	25mΩ	SOP8	量产	AO4812/AO4800
										APM4812/APM4800/ME4812
JTM4822	双N沟道	30V	20V	1.8V	8A	30A	18mΩ	SOP8	量产	AO4822/APM4822/CEM4822
										AP4822/FDS4822
JTM4828	双N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产	AO4828/AO4946/APM4946
										AP4946/FDS4946
										STM6930/FDS6912A
JTM4886E	双N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产	AO4886
	带ESD保护
JTM9926	双N沟道	20V	10V	0.9V	5A	24A	23mΩ	SOP8	量产	AO9926/CEM9926/APM9926
										AP9926/AO8822/AO8810
JTM8205	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	4A	16A	21mΩ	SOT-26	量产	AO8205/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8205A	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	6A	25A	21mΩ	TSSOP8	量产	AO8205A/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8205B	双N沟道	20V	10V	0.65V	4A/6A	16A	24mΩ	SOT-26	量产	AO8205/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8810E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	SOT-26	量产	AO8810/AO8820/AO8822
	带ESD保护							TSSOP8		SSF2418E/SSF2816E
JTM8810B	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8808/AO8808A
	带ESD保护
	不共D
JTM8820E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8820/AO8810/AO8822
	带ESD保护									SSF2418E/SSF2816E
JTM8822E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8822/AO8810/AO8820
	带ESD保护									SSF2418E/SSF2816E
JTM6800	双N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT-26	量产	AO6800/AO6802
										AO6804A/AO6810


N+P沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4606	N+P沟道	30V/-30V	20V/-20V	1.4V/	6.5A/	28A/	23mΩ/	SOP8	量产	AO4606/AO4603/AO4604/
				-1.5V	-6A	-26A	27mΩ			AP4503/AP4501/STM8401
JTM4616	N+P沟道	30V/-30V	20V/-20V	1.6V/	10.5A/	30A/	7.5mΩ/	SOP8	量产	AO4616/AO4606/AO4603/
				-1.5V	-9.1A	-30A	15mΩ			AP4604/AP4503/STM8401
JTM4611	N+P沟道	60V/-55V	20V/-20V	2.0V/	4.5A/	20A/	45mΩ/	SOP8	量产	AO4611/AO4612/AO4614
				-2.6V	-5.0A	-25A	64mΩ
JTM6602	N+P沟道	30V/-30V	12V/-20V	0.9V/	5.8A/	30A/	25mΩ/	SOT23-6L	量产	AO6602/AO6604/SI3552
				-1.0V	-4.2A	-30A	50mΩ			FDC6333/FDC6327/FDC6420











备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的JTM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS的优点：是足5.8A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS的优点：是足4.2A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS的优点：1.耐压可达60V,足3A电流，大SOT-23封装的。2.可以用于LED照明等耐压高的产品应用。

我司的JTM4953的优点：电流大内阻小，可以用于全彩屏市场。

我司的JTM4430的优点：电流大内阻小，电流可达18A.目前市场上SOP8/NMOS电流最大的一款产品之一。

我司的JTM4440的优点：耐压可达60V, 目前市场上SOP8/NMOS耐压最大的一款产品之一。

JTM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/双NMOS的优点:足7A的电流，带ESD静电保护，相比市场上的8205,电流更大内阻更小，可直接替换AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E,主要可用于高端的锂电保护板/手机电池/多节保护板/移动电源/充电器/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。


产品应用：
1.MP3/MP4/MP5/PMP 播放器
2.MID/UMPC
3.GPS/蓝牙耳机
4.PDVD/车载DVD/汽车音响
5.液晶电视/液晶显示器
6.移动电源/电子烟
7.手机电池、锂电池保护板
8.LED照明/LED电源
9.LED显示屏
10.智能充电器
11.小家电、家电控制板
12.电脑主板、显卡

(责任编辑：oumao18)