JTMS4900 专为 USB 电源特性设计，同时 JTMS4900 也可以作为独立的线性锂电池充电器。

一,目录
1.产品概述         2.产品特点
3.应用范围                        4.功能概述
5.电路原理图             6.产品PCB
7.产品BOM                       8.产品PDF文档
9.产品封装图

二,产品概述(General Description)
       JTMS4900 是一款完整的单节锂电池恒流恒压线性充电 IC，最大充电电流可达到 800mA。
它采用极小的 SOT-23-6L 封装，只需要外接极少的外部元件，使它能完全适用于便携式产
品的应用。JTMS4900 专为 USB 电源特性设计，同时 JTMS4900 也可以作为独立的线性锂
电池充电器。

三.产品特点(Features)
1.)充电电流最大可编程至 800mA
2.)无需外接 MOSFET、二极管和感应电阻
3.)过温保护恒流恒压充电
4.)可从 USB 口直接给单节锂电池充电
5.) 预设 4.2V 充电电压，精度达到±1%
6.)涓流充电隔值 2.9V
7.) 可预设无涓流充电模式
8.)软启动，有效限制冲击电流
9.) RoHS SOT-23-6L 封装

四,应用范围 (Applications)
1.) 手持电话，PDA，MP4 / MP3 播放器
2.)蓝牙设备
3.)充电器

五,功能概述
1.)稳定性：
如无外接电池，输出应接一10uF电容以减少纹波。恒流模式下，PROG 脚为反馈环路。恒流模式的稳定性受 PROG 脚的阻抗影响。如无外加电容于PROG 脚上，则当编程电阻高至 20KΩ时，充电器仍能保持稳定；然而，如有外加电容，最大允许编
程电阻将减小。
2.)VCC旁路电容：
虽然可以使用各种类型的电容作为旁路电容，但最好采用多层陶瓷电容。因为在一定的启动条件下，电容受到高压瞬态冲击，某些陶瓷电容将产生自振。建议应用时在 Vcc 输入端与 GND 并联一个容值为 0.1uF--1uF 的多层陶瓷电容。
3.)耗散功率：
通过热反馈减小充电电流的条件可以近似地估算芯片的耗散功率。几乎所有的功率损耗均是由内部MOSFET产生的，有如下近似计算公式：
PD=(VCC-VBAT) IBAT
热保护时芯片周围温度为：
TA=120℃- PD JA = 120℃-(VCC—VBAT) IBAT θJA
4.)散热考虑：
       因为此芯片是小尺寸 SOT-23-6L 封装，通过 PCB 布局来散热对充电电流最大化是非常重要的。散热路径为芯片晶片到引脚，再至焊盘，然后到 PCB 铜皮。PCB 板作为散热器其上的焊盘应尽量宽，并相应地加大铜皮以将热量扩散至空气。进行 PCB 布局设计时，PCB 上其他发热元件也必须予以考虑，尽量避免和充电器靠近，否则整体温度的上升也会影响充电器的充电电流。

六,电路原理图

七, 产品PCB
(略)

八.产品BOM

(略)
九.产品PDF文档

JTMS4900

十,产品封装图 (Package)

(责任编辑：oumao18)