JTMS9922L/JTMS9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用

1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（产品PDF文档）
5.产品封装图 6.电路原理图 7.功能概述 8.相关产品

一,产品概述(General Description)

JTMS9922L/JTMS9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感
电流临界连续模式，适用于北美地区可控硅调光LED照明应用。
JTMS9922L/JTMS9923L芯片内部集成300V功率MOSFET，芯片的工作电流极低，只需要
极少的外围元件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。
JTMS9922L/JTMS9923L具有多重保护功能，包括LED开路保护、LED短路保护、ISEN电阻
短路保护，欠压保护，芯片温度过热调节等。
JTMS9922L/JTMS9923L采用SOP-8封装
二.产品特点(Features)

支持可控硅调光
内部集成300V功率管
电感电流临界连续模式
芯片超低工作电流
±5% LED输出电流精度
LED开路保护
LED短路保护
ISEN电阻短路保护
芯片供电欠压保护
过热调节功能
采用SOP-8封装
三,应用范围 (Applications)

LED灯
四.技术规格书下载（产品PDF）

JTMS9922 JTMS9923

五,产品封装图 (Package)

引脚号	符号	功能
1	GND	芯片地
2	VLN	线电压检测输入端
3	FB	过压保护信号采样端
4	VCC	芯片电源
5、6	DRAIN	内部高压功率管漏极
7、8	ISEN	电流采样端，采样电阻接在 ISEN 和 GND 端之间

六.电路原理图

七,功能概述

项目	符号	参数范围	单位
漏极电压	VDRN	-0.3～300	V
电流采样端电压	VISEN	-0.3～6	V
电压检测输入端电压	VVLN	-0.3～6	V
过零检测端电压	VFB	-0.3～6	V
最大工作电流	IDDMAX	10	mA
o 最大耗散功率(Ta=25 C)	Ptot	0.45	W
热阻结-环境	Rthj-a	145	℃/W
工作结温范围	TJ	-40～150	℃
存储温度范围	TSTG	-55～150	℃
ESD		2,000	V

八,相关芯片选择指南

非隔离产品
产品型号	隔离/非隔离	功率因素校正	内置功率管	封装形式	功率范围	封装
JTMS9521	N		MOSFET,500V/0.5A	TO-94	<5W	TO-94
JTMS9522	N		MOSFET,500V0.8A	TO-94	9W	TO-94
JTMS9552A	N		MOSFET,500V/0.8A	SOP-8	<9W	SOP-8
JTMS9553A	N		MOSFET,500V/1A	SOP-8,DIP-7	9-18W	SOP-8&DIP-7
JTMS9554A	N		MOSFET,500V/2A	SOP-8,DIP-7	Up to 36W	SOP-8&DIP-7
JTMS9555A	N		MOSFET,500V/3.0A	DIP-7	Up to 50W	DIP-7
JTMS9556A	N		MOSFET,500V/4.0A	DIP-7	Up to 75W	DIP-7
JTMS9732	N	√	MOSFET,600V/1.5A	SOP-8	1-12W	SOP-8
JTMS9701	N	√	-	SOT23-6	Up to 60W	SOT23-6
JTMS9752	N	√	MOSFET,600V/1.5A	SOP-8	1-12W	SOP-8
JTMS9753	N	√	MOSFET,600V/2.0A	SOP-8,DIP-7	10-20W	SOP&DIP-7
JTMS9702	N	√	-	SOT23-6	Up to 60W	SOT23-6
JTMS9952	N		MOSFET,500V/0.8A	SOP-8	<9W	SOP-8
JTMS9953B	N		MOSFET,500V/1A	SOP-8,DIP-7	9-18W	SOP-8&DIP-7
JTMS9954	N		MOSFET,500V/2A	SOP-8,DIP-7	Up to 36W	SOP-8&DIP-7

(责任编辑：oumao18)

JTMS9922L/JTMS9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感 电流临界连续模式，适用

JTMS9922L/JTMS9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用