The JTM9926 uses advanced trench technology and design to pr(2)
时间:2015-09-05 08:46来源:未知 作者:oumao18 点击:
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八, 相关产品 双N沟道低压MOS场效应管 型号 沟道 VDS VGS VTH ID IDM RDS(on) 封装 状态 直接替代型号 (Max) (Max) (Max) JTM4812 双N沟道 30V 20V 1.6V 7A 30A 25m SOP8 量产 AO4
八,相关产品
双N沟道低压MOS场效应管 |
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型号 |
沟道 |
VDS |
VGS |
VTH |
ID |
IDM |
RDS(on) |
封装 |
状态 |
直接替代型号 |
(Max) |
(Max) |
(Max) |
JTM4812 |
双N沟道 |
30V |
20V |
1.6V |
7A |
30A |
25mΩ |
SOP8 |
量产 |
AO4812/AO4800 |
APM4812/APM4800/ME4812 |
JTM4822 |
双N沟道 |
30V |
20V |
1.8V |
8A |
30A |
18mΩ |
SOP8 |
量产 |
AO4822/APM4822/CEM4822 |
AP4822/FDS4822 |
JTM4828 |
双N沟道 |
60V |
20V |
2V |
4.5A |
20A |
45mΩ |
SOP8 |
量产 |
AO4828/AO4946/APM4946 |
AP4946/FDS4946 |
STM6930/FDS6912A |
JTM4886E |
双N沟道 |
100V |
20V |
2V |
3.5A |
20A |
85mΩ |
SOP8 |
量产 |
AO4886 |
带ESD保护 |
JTM9926 |
双N沟道 |
20V |
10V |
0.9V |
5A |
24A |
23mΩ |
SOP8 |
量产 |
AO9926/CEM9926/APM9926 |
AP9926/AO8822/AO8810 |
JTM8205 |
双N沟道 |
19.5V |
10V |
0.7V |
4A |
16A |
21mΩ |
SOT-26 |
量产 |
AO8205/CEM8205 |
APM8205/AP8205 |
JTM8205A |
双N沟道 |
19.5V |
10V |
0.7V |
6A |
25A |
21mΩ |
TSSOP8 |
量产 |
AO8205A/CEM8205 |
APM8205/AP8205 |
JTM8205B |
双N沟道 |
20V |
10V |
0.65V |
4A/6A |
16A |
24mΩ |
SOT-26 |
量产 |
AO8205/CEM8205 |
APM8205/AP8205 |
JTM8810E |
双N沟道 |
20V |
12V |
0.7V |
7A |
30A |
15mΩ |
SOT-26 |
量产 |
AO8810/AO8820/AO8822 |
带ESD保护 |
TSSOP8 |
SSF2418E/SSF2816E |
JTM8810B |
双N沟道 |
20V |
12V |
0.7V |
7A |
30A |
15mΩ |
TSSOP8 |
量产 |
AO8808/AO8808A |
带ESD保护 |
不共D |
JTM8820E |
双N沟道 |
20V |
12V |
0.7V |
7A |
30A |
15mΩ |
TSSOP8 |
量产 |
AO8820/AO8810/AO8822 |
带ESD保护 |
SSF2418E/SSF2816E |
JTM8822E |
双N沟道 |
20V |
12V |
0.7V |
7A |
30A |
15mΩ |
TSSOP8 |
量产 |
AO8822/AO8810/AO8820 |
带ESD保护 |
SSF2418E/SSF2816E |
JTM6800 |
双N沟道 |
30V |
12V |
0.9V |
5.8A |
30A |
25mΩ |
SOT-26 |
量产 |
AO6800/AO6802 |
AO6804A/AO6810 |
(责任编辑:oumao18) |
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