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The JTM9926 uses advanced trench technology and design to pr(2)

时间:2015-09-05 08:46来源:未知 作者:oumao18 点击:
八, 相关产品 双N沟道低压MOS场效应管 型号 沟道 VDS VGS VTH ID IDM RDS(on) 封装 状态 直接替代型号 (Max) (Max) (Max) JTM4812 双N沟道 30V 20V 1.6V 7A 30A 25m SOP8 量产 AO4

八,相关产品
双N沟道低压MOS场效应管                
                     
型号  沟道  VDS  VGS  VTH ID  IDM  RDS(on) 封装   状态  直接替代型号
(Max) (Max)  (Max)
 JTM4812 双N沟道  30V  20V  1.6V  7A  30A  25mΩ  SOP8  量产  AO4812/AO4800
APM4812/APM4800/ME4812
JTM4822 双N沟道 30V 20V 1.8V 8A 30A 18mΩ SOP8 量产 AO4822/APM4822/CEM4822
AP4822/FDS4822
JTM4828 双N沟道 60V 20V 2V 4.5A 20A 45mΩ SOP8 量产 AO4828/AO4946/APM4946
AP4946/FDS4946
STM6930/FDS6912A
JTM4886E 双N沟道 100V 20V 2V 3.5A 20A 85mΩ SOP8 量产 AO4886
带ESD保护
JTM9926  双N沟道 20V 10V 0.9V 5A 24A 23mΩ SOP8 量产 AO9926/CEM9926/APM9926
AP9926/AO8822/AO8810
JTM8205 双N沟道 19.5V 10V 0.7V 4A 16A 21mΩ SOT-26 量产 AO8205/CEM8205
APM8205/AP8205
JTM8205A 双N沟道 19.5V 10V 0.7V 6A 25A 21mΩ TSSOP8 量产 AO8205A/CEM8205
APM8205/AP8205
JTM8205B 双N沟道 20V 10V 0.65V 4A/6A 16A 24mΩ SOT-26 量产 AO8205/CEM8205
APM8205/AP8205
JTM8810E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ SOT-26 量产 AO8810/AO8820/AO8822
带ESD保护 TSSOP8 SSF2418E/SSF2816E
JTM8810B 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产 AO8808/AO8808A
带ESD保护
不共D
JTM8820E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产 AO8820/AO8810/AO8822
带ESD保护 SSF2418E/SSF2816E
JTM8822E 双N沟道 20V 12V 0.7V 7A 30A 15mΩ TSSOP8 量产 AO8822/AO8810/AO8820
带ESD保护 SSF2418E/SSF2816E
JTM6800 双N沟道 30V 12V 0.9V 5.8A 30A 25mΩ SOT-26 量产 AO6800/AO6802
AO6804A/AO6810

(责任编辑:oumao18)
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