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The JTM3307D,JTM3207D uses advanced trench technology and de

时间:2015-09-13 13:53来源:未知 作者:oumao18 点击: 次
目录 1. 产品概述 2. 产品特点 3. 应用范围 4. 下载产品资料PDF文档 5. 产品封装图 6. 电路原理图 7. 功能概述 8 . 相关产品 一 , 产品概述( General Description) The JTM3307D uses advanced trench technology and des
目录
1.产品概述                       2.产品特点
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图                     6.电路原理图                   
7.功能概述                        8.相关产品

一,产品概述(General Description)         
         The JTM3307D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

二.产品特点(Features)
 High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized Avalanche voltage and current
 Good stability and uniformity with high EAS
 Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability

三,应用范围 (Applications)
Power switching application
Hard Switched and High Frequency Circuits
Uninterruptible Power Supply

四.下载产品资料PDF文档

JTM3307D

五,产品封装图 (Package)


Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 80 V
Gate-Source Voltage VGS ±20 V
Drain Current-Continuous ID 105 A
Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) 80 A
Pulsed Drain Current IDM 420 A
Maximum Power Dissipation PD 200 W
Derating factor   1.33 W/℃
Single pulse avalanche energy (Note 5) EAS 800 mJ
(责任编辑：oumao18)
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