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可发生上述情况。建议应用时在 Vcc 输入端与 GND 并联一个容值为 0.1uF--1uF 的多层陶瓷电 容。 4.耗散功率： 通过热反馈减小充电电流的条件可以近似地估算芯片的耗散功率。几乎所有的功率损耗均是由内 部MOSFET产生的，有如下近似计算公式： PD=(VCC-VBAT) IBAT 热保护时芯片周围温度为： TA=120℃- PD JA = 120℃-(VCC—VBAT) IBAT θJA 5.散热考虑： 因为此芯片是小尺寸 SOT-23-5L 封装，通过 PCB 布局来散热对充电电流最大化是非常重要的。 散热路径为芯片晶片到引脚，再至焊盘，然后到 PCB 铜皮。PCB 板作为散热器其上的焊盘应尽量宽， 并相应地加大铜皮以将热量扩散至空气。进行 PCB 布局设计时，PCB 上其他发热元件也必须予以考 虑，尽量避免和充电器靠近，否则整体温度的上升也会影响充电器的充电电流。 (责任编辑：oumao18) |
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