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JTM8256 JTM8253,JTM8254系列芯片内置高精度电压检测电路和延时电路 (过充电/过放电保护以及充放电过(3)

时间:2015-09-12 16:19来源:未知 作者:oumao18 点击:
6 : JTM8256 作为辅控芯片使用时,芯片关闭充电 MOSFET 的安全保护状态禁止该芯片进入低功耗模式。 5. 放电过流保护状态 当系统放电电流超过一定值,亦即
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JTM8256作为辅控芯片使用时,芯片关闭充电MOSFET的安全保护状态禁止该芯片进入低功耗模式。
5. 放电过流保护状态
当系统放电电流超过一定值,亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平超过放电过流 1 保护阈值电压 VDC1,且此状态持续时
间超过放电过流 1 保护延时 tID1,JTM8256 系列芯片 DSG 管脚输出 GND 电平从而关闭放电通路。上述状态被称之为放电
过流 1 保护状态。在放电过流 1 保护状态中,JTM8256 系列芯片的 CHG 管脚输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通
路,同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMS 下拉至 GND 电平。
JTM8256 作为辅控芯片时,不具备放电过流保护功能。
JTM8256 系列芯片具备两级放电过流保护,放电过流 2 保护的动作与放电过流 1 保护一致。
当下述条件满足时,放电过流保护状态将被解除:
(1) JTM8256系列芯片VM管脚电平低于VDD/10 (负载拔除)
6. 充电过流保护状态
当系统充电电流超过一定值,亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平小于充电过电流 1 保护阈值电压 VCC1,且此状态持续
时间超过充电过流 1 保护延时 tIC1 后,JTM8256 系列芯片 CHG 管脚会输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通路。上
述状态被称之为充电过流 1 保护状态。在充电过流 1 保护状态中,JTM8256 系列芯片 DSG 管脚会输出 GND 电平从而关
闭放电通路,同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMD 上拉至 VDD 电平。
JTM8256 作为辅控芯片时,不具备充电过流保护功能。
JTM8256 系列芯片具备两级充电过流保护,充电过流 2 保护的动作与充电过流 1 保护一致。
当下述条件满足时,充电过流保护状态将被解除:
(1) JTM8256系列芯片CHSE管脚电平高于VCHSE-M (充电器拔除)
7. 0V充电功能 (可选)
JTM8256 系列芯片可选择是否使能 0V 充电功能 7,具体描述如下:
(1) 使能 0V 充电功能:当电池组总电压很低 (不小于 1V),使用电压高于 V0CHA (0V 充电允许电压) 的充电器可向电池包
充电,依据充电 MOS 管开启电压不同,实际需要的充电器电压会有不同
(2) 禁止 0V 充电功能:当任意节电芯电压低于充电禁止电压 V0INH,不允许向电芯充电
注释7:级联使用时,JTM8256不能保证 0V允许充电功能。
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型号 工作 工作 过充 过充释 过放 过放释 过放 过流 短路 封装  替代型号 
电压 电流 电压 放电压  电压 放电压 自恢复  保护  保护
JTM8256-AAB 3--26V 25uA 4.25V   2.7V   NO OK OK TSSOP-24  兼容S8205A/B
JTM8256-BAB 3--26V 25uA 3.65V   2.5V   NO OK OK TSSOP-24  兼容S8205A/B
                       
                       
                       
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JTM5453 6.0V 2.8uA 4.425V 4.25V 2.4V 3.0V OK OK/3A OK SOT-25 4.35V锂电池保护应用
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JTM9903 6.0V 2.8uA 4.425V 4.15V 2.5V 3.0V OK OK/5A OK ESOP8 DW01A+AO8205*2

(责任编辑:oumao18)
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