一,产品概述(General Description)         
       JTM5403产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。JTM5403包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。
JTM5403具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。JTM5403具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

二.产品特点(Features)
内部集成等效 45mΩ-60mΩ 的先进的功率MOSFET；
3 段过流保护：过放电流 1、过放电流 2（可选）、负载短路电流；
充电器检测功能；
延时时间内部设定；
高精度电压检测；
低静态耗电流：正常工作电流 3.8uA
兼容 ROHS 和无铅标准。
采用 TSSOP-8 封装形式塑封

三,应用范围 (Applications)
单芯锂离子电池组；
锂聚合物电池组。

四.下载产品资料PDF文档

jtm5403

五,产品封装图 (Package)

管脚号	管脚名称	管脚描述
1	V-	电流感应输入管脚，充电器检测。
2	DO	放电控制 FET 门限连接管脚。
3	GND	接电池芯负极
4	G1	放电 MOS 管 G 极，连接 OD，外部连接。
5	G2	充电 MOS 管 G 极，连接 OC，外部连接。
6	BTT-	充电负极
7	VDD	正电源输入管脚。
8	0C	充电控制 FEL 门限连接管脚。

六.电路原理图


七,功能概述
JTM5403监控电池的电压和电流，并通过断开充电器或负载，保护单节可充电锂电池不会因为过充电压，过放电
压，过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在制定的范围内。
MOSFET已内置，等效电阻典型值为50mΩ
正常工作模式
如果没有检测到任何异常情况，充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。
过充电压情况
在正常条件下的充电过程中，当电池电压高于过充检测电压(VCU)，并持续时间达到过充电压检测延迟时间(tCU)
或更长，JTM5403将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。
以下两种情况下，过充电压情况将被释放：
1、当电池电压低于过充解除电压 (VCL), JTM5403控制充电的FET导通，回到正常工作模式下。
2、当连接一个负载并且开始放电, JTM5403控制充电的FET导通回到正常工作模式下。解除机制如下： 接上负
载后放电电流立刻流过充电FET内部寄生二极管开始放电，BATT-电压升到0.7V， JTM5403 检测到这个电压后，
当电池电压等于或低于过充检测电压(VCU), JTM5403 立刻恢复到正常工作模式，另外，在接上负载放电时,如果
BATT-电压等于或低于过流1检测电压， 芯片也不会恢复到正常状态。
注：当电池被充电到超过过充检测电压(VCU) 并且电池电压没有降到过充检测电压 (VCU)以下，即使 加上一
个可以导致过流的重载, 过流1和过流2都不会工作，除非电池电压跌到过充检测电压(VCU)以下。 但是实际上电池
是有内阻的，当电池接上一个重载，电池的电压会立即跌落，这时过流1和过流2就会动作。短路保护与电池电压无
关。
过放电压情况
在正常放电过程中，当电池电压降到过放检测电压(VDL)以下的时候， 并持续时间达到过放电压检测延时间
(tDL) 或更长， JTM5403将切断电池和负载的连接，停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当控制放电的FET
被关断， BATT- 通过内部BATT-与VDD之间的RBATT-D 电阻被拉到高电平。当 BATT- 电压高于负载短路检测

八,相关产品

小过放电流/二合一锂电保护IC
型号	耐压	工作电流	过充电压	过充	过放电压	过放	过放	过流保护
				释放电压		释放电压	自恢复
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JTM5459	6.0V	2.8uA	4.3V	4.1V	2.4V	3.0V	OK	OK/3A
JTM5406	10.0V	2.8uA	4.3V	4.1V	2.4V	3.0V	OK	OK/2.5A
JTM5403	10.0V	2.8uA	4.3V	4.1V	2.4V	3.0V	OK	OK/2.5A
JTM5453	6.0V	2.8uA	4.425V	4.25V	2.4V	3.0V	OK	OK/3A
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大过放电流/二合一锂电保护IC
型号	耐压	工作电流	过充电压	过充	过放电压	过放	过放	过流保护
				释放电压		释放电压	自恢复
JTM9901	6.0V	5.2uA	4.28V	4.1V	2.4V	3.0V	OK	OK/8A
JTM9902A	6.0V	6.0uA	4.25V	4.1V	2.9V	3.0V	OK	OK/10A
JTM9902B	6.0V	6.0uA	4.25V	4.1V	2.5V	3.0V	OK	OK/10A
JTM9902C	6.0V	6.0uA	4.3V	4.1V	2.4V	3.0V	OK	OK/10A
JTM9902D	6.0V	6.0uA	4.425V	4.25V	2.4V	3.0V	OK	OK/10A
JTM9903	6.0V	2.8uA	4.425V	4.15V	2.5V	3.0V	OK	OK/5A
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JTM1160	2.0V-6.5V	8uA	5mA	NMOS开漏	D1--D4	3.4V,3.55V,	3.8V,3.64V,	2%
						3.7V,3.87V	3.5V,3.1V
型号	工作电压	功耗	检测参数	通信协议	封装	代替型号
JTM6002	2.5V-5.5V	120uA	电压/电流/电量	SMBUS/SWI	DFN-12	BQ27541
型号	工作电压	雾化片	最大充	静态电流	输出电压	充电检测精度	保护功能	封装
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		出电流
JTM8001	4.5V-6.0V	2A	100mA	3uA	3.6V	4.2V ± 1%	OCP,UVLO,OTP	SOT-25
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