The JTM1558 is a high efficiency current-mode boost converte

1.产品概述         2.产品特点
3.应用范围       4.下载产品资料PDF文档
5.产品封装图                     6.电路原理图
7.功能概述       8.相关产品

一,产品概述(General Description)
The JTM1558 is a high efficiency current-mode boost converter with a fixed operation frequency. The JTM9225 integrates a very low Rds-on NMOSFTET to reduce power loss and achieve high efficiency. The maximum efficiency is up to 93%. JTM1558 can output 2A current when VIN is higher than 3.3V and output is 5V.1.2MHz operation frequency minimizes L and C value, and internal compensation network reduces external component counts. SOT23-6 package provides the best solution for PCB layout area.

二.产品特点(Features)
1.)Wide Input Range: 2.5-6V Input,·
2.)Up to 2A Output Current
3.)Maximum 8V Output Voltage
4.)1.2MHz Switching Frequency
5.)Low RDS(ON): 70mΩ
6.)Up to 93% Efficiency
7.)Under-Voltage Lockout Protection
8.)Over-Temperature Protection
9.)Internal Soft Start
10.)1uA Shutdown Current
11.)Accurate Reference: 0.6V VREF
12.)Compact package: SOT23-6

三,应用范围 (Applications)

四.下载产品资料PDF文档

jtm1588

五,产品封装图 (Package)

Pin Name		Pin Function
1	SW VIN	Power Switch Output. Connect the inductor and the blocking Schottky diode to SW.
2	GND	GND
3	FB	Feedback
4	EN	Enable pin. A high input at EN enables the device and a low input disables the devices. When not used, connect EN to the input source for automatic startup.
5	VIN	Input Supply Pin. Must be locally bypassed.
6	NC	No Internal Connection

六.电路原理图

七,功能概述

Operation Description

The JTM1558 adopts fixed frequency, peak current mode boost regulator architecture to regulate output voltage. The
operating principle of the JTM1558 can be easily understood by referring to the functional block diagram. At the
beginning of each oscillator cycle the MOSFET is turned on by the control circuit. To prevent sub-harmonic oscillations at
duty cycle larger than 50 percent, a stabilizing ramp is added to the output of the current sense amplifier and the result is
fed into the negative input of the PWM comparator. When this voltage equals the output voltage of the error amplifier, the
power MOSFET is turned off. The voltage at the output of the error amplifier is an amplified result of the difference
between the 0.6V reference voltage and the feedback voltage. In this way the peak current level keeps the output voltage
in regulation. If the feedback voltage starts to drop, the output of the error amplifier increases, resulting in more current to
flow through the power MOSFET, thus increasing the power delivered to the output. The JTM1558 has internal soft start
to avoid rush input current during the startup and also to avoid overshoot on the output.

Application Information

Because of the high integration in the JTM1558, the application circuit based on this regulator IC is rather simple. Only
input capacitor CIN, output capacitor COUT, inductor L, schottky diode and feedback resistors (R1 and R2) need to be
selected for the targeted applications.

Feedback Resistor Divider R1 and R2:
Choose R1 and R2 to program the proper output voltage. To minimize the power consumption under light loads, it is
desirable to choose large resistance values for both R1 and R2. A value of between 10KΩ and 1MΩ is recommended for
both resistors. If R1=220 KΩ is chosen, then R2 can be calculated to be 30KΩ based on the following equation:
R2 = (R1×0.6V)/(VOUT - 0.6V)

Input Capacitor CIN:
To minimize the potential noise problem, place a typical X5R or better grade ceramic capacitor really close to the IN and
GND pins. Care should be taken to minimize the loop area formed by CIN, and IN/GND pins. In this case a 10uF low
ESR ceramic is recommended.

Output Capacitor COUT:
The output capacitor is selected to meet the output ripple noise requirements. Both steady state ripple and transient
requirements must be taken into consideration when selecting this capacitor. For the best performance, it is recommended
to use X5R or better grade ceramic capacitor with 10V rating and more than two pieces of 22uF Capacitor. The ESR of the
capacitor COUT is critical for low ripple and noise in the output voltage.

Boost Inductor L:
The recommended values of inductor is 2.2uH to 10 u H. Small size and better efficiency are the major concerns for
portable devices. The inductor should have low core loss at 1.2MHz and low DCR for better efficiency. To avoid inductor
saturation current rating should be considered.

Diode Selection:
Schottky diode is a good choice for JTM1558 because of its low forward voltage drop and fast reverses recovery in order
to get better efficiency. The high speed rectification is also a g ood characteristic of Schottky diode for high switching
frequency. The diode reverse breakdown voltage should be larger than the output voltage.

Start-up and Inrush Current:
The JTM1558 has internal soft start to limit the value of current through VIN during the startup and also to avoid
overshoot on the output. The soft start is realized by gradually increasing the output of error amplify during start-up.

八,相关产品

单P沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM2301/A	P沟道	-20V	-10V	-0.7V	-3A	-10A	65mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/
								SOT23-3L		IRLML6401/IRML6402/AO3423
JTM2301B	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-2.8A	-10A	83mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/XP152A/
										IRLML6402/AO3423
JTM2301C	P沟道	-12V	-12V	-0.7V	-2.8A	-10A	85mΩ	SOT23	量产	Si2301/AP2301/XP152A/
										IRLML6402/AO3423
JTM2305	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-4.1A	-15A	39mΩ	SOT23	量产	Si2305/AP2305/APM2305/
										IRLML6401/IRML6402/AO3423
JTM2333	P沟道	-12V	-12V	0.32V	6A	20A	30mΩ	SOT23-3L	量产	Si2333/IRLML6302
JTM2341/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	WPM2341/Si2341/AO3401
								SOT23		AO3415/IRLML6401/SI2307
JTM3401/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	AO3401/AO3415/IRLML6401
								SOT23		/IRLML6402/SI2307
JTM3401C	P沟道	-30V	-20V	-1.6V	-2.5A	-10A	72mΩ	SOT23	量产	AO3401/AO3407/AO3415/
										IRLML6401/IRLML6402/SI2307
JTM3407/B	P沟道	-30V	-20V	-1.5V	-4.2A	-20A	55mΩ	SOT23-3L	量产	AO3407/AO3415/IRLML6401
								SOT23		IRLML6402/SI2307
JTM3413/B	P沟道	-20V	-12V	-0.7V	-2.5A	-10A	118mΩ	SOT23-3L	量产	AO3413
								SOT23
JTM3415E	P沟道	-20V	-10V	-0.65V	-4.0A	-30A	34mΩ	SOT23-3L	量产	AO3415
	带ESD保护
JTM3421/B	P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT23-3L	量产	AO3421/AO3401/AO3415
								SOT23		WPM2341/IRLML6401/SI2307
JTM2319	P沟道	-40V	-20V	-1.5V	-5.3A	-20A	73mΩ	SOT-23-3L	量产	Si2319
JTM2309	P沟道	-60V	-20V	-1.0V	-1.8A	-7A	170mΩ	SOT-23-3L	量产	Si2309
JTM6401	P沟道	-30V	-20V	-1V	-5.0A	-30A	50mΩ	SOT23-6L	量产	AO6401/Si3481/APM2605/AO6405
										Si3455/SI3457/FDC634P/FDC636P
JTM9435	P沟道	-30V	-20V	-1.6V	-5.1A	-20A	48mΩ	SOP8	量产	CEM9435/APM9435/AP9435/
										Si9435/FDS9435/AO4405
JTM9435B	P沟道	-20V	-10V	-0.7V	-5A	-20A	60mΩ	SOP8	量产	CEM9435/APM9435/AP9435/
										Si9435/FDS9435/AO4405
JTM4435	P沟道	-30V	-20V	-1.5V	-9.1A	-50A	15mΩ	SOP8	量产	AO4435/CEM4435/APM4435/
										AP4435/Si4435/FDS4435
JTM4407	P沟道	-30V	-20V	-1.65V	-12A	-60A	14mΩ	SOP8	量产	AO4407/CEM4407/APM4407/
										AP4407/Si4407/FDS4407
JTM4409	P沟道	-30V	-20V	-1.75V	-15A	-80A	8mΩ	SOP8	量产	AO4409/AO4407/AO4435/CEM4435
										APM4435/AP4435/Si4435/FDS4435
JTM4443	P沟道	-40V	-20V	-1.5V	-6A	-24A	73mΩ	SOP8	量产	AO4443
										IRF7241
JTM4485	P沟道	-40V	-20V	-2.0V	-15A	-60A	30mΩ	SOP8	量产	AO4485
										IRF7240
JTM4441	P沟道	-55V	-20V	-2.6V	-5A	-25A	64mΩ	SOP8	量产	AO4441/AO4421/
										AO4443
JTM5853	P沟道+肖特基	22V	8V	0.69V	3A	12A	110mΩ	DFN2*3-8	量产	Si5853/AON4703/NHPD4P02
JTM16P12D	P沟道	12V	12V	0.7V	16A	65A	18mΩ	DNF2*2-6	量产	AON2701/AON2401/3/5/IRLHS2242

双P沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4953	双P沟道	-30V	-20V	-1.6V	-5.1A	-20A	48mΩ	SOP8	量产	CEM4953/APM4953/AP4953
										Si4953/AO4801/AO4803
JTM4953B	双P沟道	-20V	-10V	-0.7V	-5A	-20A	60mΩ	SOP8	量产	CEM4953/APM4953/AP4953
										Si4953/AO4801/AO4803
JTM4953C	双P沟道	-27V	-20V	-1.1V	-5A	-20A	52mΩ	SOP8	量产	CEM4953/APM4953/AP4953
										Si4953/AO4801/AO4803
JTM4805	双P沟道	-30V	-20V	-1.5V	-9.1A	-50A	15mΩ	SOP8	量产	AO4805/AO4821
JTM4803	双P沟道	-55V	-20V	-2.6V	-5A	-25A	64mΩ	SOP8	量产	AO4803/AO4801
JTM6801	双P沟道	-30V	-20V	-1V	-4.2A	-30A	50mΩ	SOT-26	量产	AO6801/AO6801A

单N沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM2302/A	N沟道	20V	10V	0.75V	3A	10A	30mΩ	SOT23	量产	Si2302/AP2302/XP151A
								SOT23-3L		APM2314/IRLML2502
JTM2302B	N沟道	20V	12V	0.85V	2.5A	10A	46mΩ	SOT23	量产	Si2302/AP2302/XP151A
										APM2314/IRLML2502
JTM2306/A	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	22A	25mΩ	SOT23	量产	AP2306/SI2306
								SOT23-3L		APM2306/WNM2306
JTM2300/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2312/SI2312
								SOT23-3L		SI2300/AP2300
JTM2312/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2312/SI2312
								SOT23-3L		SI2300/AP2300
JTM2314/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AP2314/SI2314
								SOT23-3L		SI2312/AP2312
JTM3400/B	N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT23	量产	AO3400/AO3402/AP2306
								SOT23-3L		SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3400C	N沟道	30V	20V	1.5V	3.6A	15A	40mΩ	SOT23	量产	AO3400/AO3402/AO3406/AP2306
										SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3406/B	N沟道	30V	20V	1.6V	5.8A	20A	25mΩ	SOT23	量产	AO3406/AP2306
								SOT23-3L		SI2306/APM2306/WNM2306
JTM3414/B	N沟道	20V	10V	0.75V	3.0A	10A	30mΩ	SOT23	量产	AO3414
								SOT23-3L
JTM3416E	N沟道	20V	12V	0.7V	6.0A	30A	19mΩ	SOT23-3L	量产	AO3416
	带ESD保护
JTM3420/B	N沟道	20V	12V	0.65V	4.5A	13.5A	22mΩ	SOT23	量产	AO3420/SI2300
								SOT23-3L		SI2312/AP2300
JTM2318	N沟道	40V	20V	2.0V	4.0A	20A	32mΩ	SOT23-3L	量产	Si2318
JTM6400	N沟道	30V	12V	0.9V	6.9A	30A	25mΩ	SOT23-6L	量产	AO6400/SI3456/AP2602/AO6404
JTM7002	N沟道	60V	20V	1.7V	0.115A	0.8A	1.3Ω	SOT23	量产	2N7002/BSS138/FDV301N
JTM2310	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产	AP2310GN/APM2360A/AO3422
										IRFL014/UT3N06
JTM3422	N沟道	60V	20V	1.4V	3A	10A	105mΩ	SOT23-3L	量产	AO3422/AP2310GN/APM2360A
										CES2362/VN3205/VN2204
										IRFL014/UT3N06
JTM2N10MR	N沟道	100V	20V	1.8V	2A	5A	210mΩ	SOT23-3L	量产
JTM2324E	N沟道	100V	20V	1V	2.7A	10A	140mΩ	SOT23-3L	量产	Si2324/Si2328
	带ESD保护									Si2392/AO3442
JTM4410	N沟道	30V	20V	1.6V	10A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产	AO4410/AO4403/APM4410
										CEM4410/AP4410/FDS4410
										IRF7832/IRF7805Z
JTM4412	N沟道	30V	20V	1.0V	7A	30A	22mΩ	SOP8	量产	AO4412/APM4412/CEM4412
										AP4412/FDS4412/AO4414/ME4414
JTM4430	N沟道	30V	20V	1.6V	18A	50A	7.5mΩ	SOP8	量产	AO4430/APM4430/CEM4430
										AP4430/FDS4430/SI4166
JTM4480	N沟道	40V	20V	2.0V	20A	50A	16mΩ	SOP8	量产	AO4480/AO4240/IRF7842
										Si4840BDY/Si4124DY
JTM4440	N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产	AO4440/AP9971/STS5NF60L
JTM4486E	N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产	AO4486
	带ESD保护
JTM4488	N沟道	150V	20V	3.2V	5.2A	42A	31mΩ	SOP8	量产	AO4488
JTM4490	N沟道	200V	20V	3.0V	3.9A	30A	56mΩ	SOP8	量产	AO4490

双N沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4812	双N沟道	30V	20V	1.6V	7A	30A	25mΩ	SOP8	量产	AO4812/AO4800
										APM4812/APM4800/ME4812
JTM4822	双N沟道	30V	20V	1.8V	8A	30A	18mΩ	SOP8	量产	AO4822/APM4822/CEM4822
										AP4822/FDS4822
JTM4828	双N沟道	60V	20V	2V	4.5A	20A	45mΩ	SOP8	量产	AO4828/AO4946/APM4946
										AP4946/FDS4946
										STM6930/FDS6912A
JTM4886E	双N沟道	100V	20V	2V	3.5A	20A	85mΩ	SOP8	量产	AO4886
	带ESD保护
JTM9926	双N沟道	20V	10V	0.9V	5A	24A	23mΩ	SOP8	量产	AO9926/CEM9926/APM9926
										AP9926/AO8822/AO8810
JTM8205	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	4A	16A	21mΩ	SOT-26	量产	AO8205/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8205A	双N沟道	19.5V	10V	0.7V	6A	25A	21mΩ	TSSOP8	量产	AO8205A/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8205B	双N沟道	20V	10V	0.65V	4A/6A	16A	24mΩ	SOT-26	量产	AO8205/CEM8205
										APM8205/AP8205
JTM8810E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	SOT-26	量产	AO8810/AO8820/AO8822
	带ESD保护							TSSOP8		SSF2418E/SSF2816E
JTM8810B	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8808/AO8808A
	带ESD保护
	不共D
JTM8820E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8820/AO8810/AO8822
	带ESD保护									SSF2418E/SSF2816E
JTM8822E	双N沟道	20V	12V	0.7V	7A	30A	15mΩ	TSSOP8	量产	AO8822/AO8810/AO8820
	带ESD保护									SSF2418E/SSF2816E
JTM6800	双N沟道	30V	12V	0.9V	5.8A	30A	25mΩ	SOT-26	量产	AO6800/AO6802
										AO6804A/AO6810


N+P沟道低压MOS场效应管

型号	沟道	VDS	VGS	VTH	ID	IDM	RDS(on)	封装	状态	直接替代型号
		(Max)			(Max)		(Max)
JTM4606	N+P沟道	30V/-30V	20V/-20V	1.4V/	6.5A/	28A/	23mΩ/	SOP8	量产	AO4606/AO4603/AO4604/
				-1.5V	-6A	-26A	27mΩ			AP4503/AP4501/STM8401
JTM4616	N+P沟道	30V/-30V	20V/-20V	1.6V/	10.5A/	30A/	7.5mΩ/	SOP8	量产	AO4616/AO4606/AO4603/
				-1.5V	-9.1A	-30A	15mΩ			AP4604/AP4503/STM8401
JTM4611	N+P沟道	60V/-55V	20V/-20V	2.0V/	4.5A/	20A/	45mΩ/	SOP8	量产	AO4611/AO4612/AO4614
				-2.6V	-5.0A	-25A	64mΩ
JTM6602	N+P沟道	30V/-30V	12V/-20V	0.9V/	5.8A/	30A/	25mΩ/	SOT23-6L	量产	AO6602/AO6604/SI3552
				-1.0V	-4.2A	-30A	50mΩ			FDC6333/FDC6327/FDC6420











备注：
1. 标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
2. 建议在MOS的栅源（G/S）极之间并一个电阻（10K）和一个稳压二极管(5V-12V)起到保护栅源（G/S）极过压的作用。
3.建议MOS管的开启电压尽量提高，这样MOS管才能充分开启导通，这个时候内阻最小，不容易发烫。一般建议低压MOS的VGS开启电压设定为4.5V以上，中高压MOS的开启电压设定为10V以上.
4.MOS 电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输

我司的JTM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS的优点：是足5.8A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS的优点：是足4.2A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的JTM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS的优点：1.耐压可达60V,足3A电流，大SOT-23封装的。2.可以用于LED照明等耐压高的产品应用。

我司的JTM4953的优点：电流大内阻小，可以用于全彩屏市场。

我司的JTM4430的优点：电流大内阻小，电流可达18A.目前市场上SOP8/NMOS电流最大的一款产品之一。

我司的JTM4440的优点：耐压可达60V, 目前市场上SOP8/NMOS耐压最大的一款产品之一。

JTM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/双NMOS的优点:足7A的电流，带ESD静电保护，相比市场上的8205,电流更大内阻更小，可直接替换AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E,主要可用于高端的锂电保护板/手机电池/多节保护板/移动电源/充电器/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。


产品应用：
1.MP3/MP4/MP5/PMP 播放器
2.MID/UMPC
3.GPS/蓝牙耳机
4.PDVD/车载DVD/汽车音响
5.液晶电视/液晶显示器
6.移动电源/电子烟
7.手机电池、锂电池保护板
8.LED照明/LED电源
9.LED显示屏
10.智能充电器
11.小家电、家电控制板
12.电脑主板、显卡